[发明专利]一种触控面板及其制造方法、触控设备

说明书

技术领域

本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种触控面板及其制造方法、及触控设备。

背景技术

触摸屏由于具有节省空间、更好的人机交互性等优点，广泛应用于各种电子设备中，如手机、平板电脑、MP3/MP4／MP5、PDA（Personal Digital Assistant，个人数字助理）、家用电器等。

触控传感器（Touch Sensor）是触摸屏中重要的器件，用于实现对触控点的感测。目前常用的触控传感器主要包括电阻式触控传感器和电容式触控传感器；其中，电阻式触控传感器主要是通过在显示屏的触控区域设置上下两层不接触的ITO（Indium-Tin-Oxide，氧化铟锡）导电薄膜，以实现对触控点的感测；电阻式触控传感器的缺点主要是：上下两层ITO导电薄膜容易出现接触故障，进而使得电阻式触控的反应不灵敏，对手写或笔写的解析度较低。

相对于电阻式触控模式，电容式触控模式具有较高的灵敏度，并可以直接利用手指操控，使用方便；电容式触控传感器主要采用密集排布的阵列结构，当使用者的手指触及阵列结构时，利用检测借助于手指传导的高速电流或电压扫描信号，进而计算并分析出受触控的触控位置，实现对触摸点的定位。

现有触控面板一般采用电容式触控传感器制作，包括形成于基板上的像素结构及与该像素结构连接的FPC（Flexible Printed Circuit，挠性印刷电路）Pad结构；如图1所示，像素结构包括第一ITO层100、用于接收及传递外界触摸信号的第二ITO层、位于第一ITO层100与第二ITO层之间的绝缘层（图中未示）、以及位于第二ITO层上的钝化层（图中未示），其中，第二ITO层包括水平ITO层120B和垂直ITO层120A，水平ITO层120B和垂直ITO层120A之间通过绝缘层相互绝缘；第一ITO层100在水平方向上通过绝缘层上的两个通孔110与两侧的水平ITO层120B相接触，第一ITO层100通过绝缘层与垂直ITO层120A相互绝缘。

如图2所示，触控面板中的像素结构10呈阵列分布，其中，同一行所有像素结构的水平ITO层导通，同一列所有像素结构的垂直ITO层导通；触控面板中的FPC Pad结构11分布于像素结构组成的阵列的边缘，像素结构10组成的阵列中每一行所有像素结构10的水平ITO层连接一个不同的FPC Pad结构11，每一列所有像素结构10的垂直ITO层连接一个不同的FPC Pad结构11。

现有的触控面板具有较好的表面视觉效果，但由于制作成本高，降低了产品的市场竞争力。

发明内容

本发明实施例提供了一种触控面板及其制造方法、触控设备，用于解决传统的触控面板制造成本高的问题。

本发明实施例提供了一种触控面板，包括像素结构及与所述像素结构连接的驱动电路，所述像素结构包括：

位于基板上的第一导电层，位于所述第一导电层上的绝缘层，位于所述绝缘层上的第二导电层及位于所述第二导电层上的钝化层；

其中，所述绝缘层上的过孔的图形与所述第一导电层的图形相同，而且所述第一导电层的两端通过所述过孔分别与所述第二导电层的两个水平导电部分电性连接，所述第一导电层通过所述绝缘层与所述第二导电层的垂直导电部分绝缘；和/或

所述钝化层上的镂空区域的图形与所述驱动电路中的金属层的图形相同。

优选的，所述钝化层上的镂空区域的位置与所述金属层的位置对应。

优选的，所述基板为玻璃、塑料、柔性电路板或绝缘薄膜。

优选的，所述第一导电层的材料为ITO（Indium-Tin-Oxide，氧化铟锡）或IZO（Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物）；

所述第二导电层的材料为ITO或IZO。

优选的，所述第一导电层与所述第二导电层的材料为ITO。

优选的，所述绝缘层的材料为氮化硅或氧化硅。

优选的，所述钝化层的材料为氮化硅或氧化硅。

本发明实施例提供了一种触控设备，包括上述的任一触控面板。

本发明实施例提供了一种制造上述的触控面板的方法，包括：

通过掩膜工艺，在基板上的驱动电路所在的区域内形成金属层；

通过掩膜工艺，依次在形成了所述金属层的基板上的像素结构所在的区域内形成第一导电层、绝缘层、第二导电层及钝化层；

其中，所述绝缘层与所述第一导电层采用同一个掩膜板制作，且所述第一导电层的图形与所述绝缘层的过孔的图形相同；和/或