[发明专利]一种液晶显示装置、阵列基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210269093.9 申请日: 2012-07-31
公开(公告)号: CN102768991A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 陈政鸿 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;G02F1/1368
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 518000 广东省深圳市光明新区公*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 液晶 显示装置 阵列 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:

在基底上由下至上依次形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层,所述第一导电层用于形成相互电连接的扫描线和开关管的控制电极,所述第二导电层的数量至少为一,用于形成开关管的输入电极、输出电极以及透明的像素电极,所述输出电极与像素电极电连接;

对所述第二绝缘层进行干蚀刻以形成导通孔;

在所述第二绝缘层上形成第三导电层,使所述第三导电层通过导通孔与开关管的输入电极电连接,所述第三导电层用于形成数据线。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述在基底上由下至上依次形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层的步骤包括:

在所述基底上形成第一金属层;

对所述第一金属层进行蚀刻,形成相互电连接的扫描线和作为开关管的薄膜晶体管的栅极;

在所述薄膜晶体管的栅极和扫描线之上形成第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上形成透明导电层;

对所述透明导电层进行蚀刻,形成所述薄膜晶体管的源极、漏极以及像素电极,并且所述薄膜晶体管的漏极与像素电极电连接;

在所述薄膜晶体管的源极、漏极与像素电极之上形成第二绝缘层。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,

所述在所述薄膜晶体管的栅极和扫描线之上形成第一绝缘层之后的步骤包括:

在所述薄膜晶体管的栅极对应的第一绝缘层上形成一半导体层,使所述薄膜晶体管的源极和漏极分别与所述半导体层连接。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述对所述第二绝缘层进行干蚀刻以形成导通孔的步骤包括:

在所述薄膜晶体管的源极对应的第二绝缘层上进行干蚀刻,以在第二绝缘层和薄膜晶体管的源极之间形成导通孔。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,

所述在薄膜晶体管的源极对应的第二绝缘层上进行干蚀刻的步骤包括:

利用反应离子刻蚀的干蚀刻方式在所述薄膜晶体管的源极对应的第二绝缘层上进行干蚀刻。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,

所述在所述第二绝缘层上形成第三导电层,使所述第三导电层通过导通孔与开关管的输入电极电连接的步骤包括:

在所述第二绝缘层上形成第二金属层;

对所述第二金属层进行蚀刻,形成数据线,使所述数据线通过导通孔与薄膜晶体管的源极电性连接。

7.一种阵列基板,其特征在于,包括:

基底;

设置于所述基底上的相互电连接的扫描线和开关管的控制电极;

设置于所述扫描线和开关管的控制电极上的第一绝缘层;

设置于所述第一绝缘层上的开关管的输入电极、输出电极以及透明的像素电极,所述输出电极与像素电极电连接,所述输出电极与输入电极之间设置有半导体;

设置于所述开关管的输入电极、输出电极以及像素电极之上的第二绝缘层,所述第二绝缘层上对应开关管的输入电极的位置设置有导通孔;

设置于所述第二绝缘层上导通孔区域的数据线,所述数据线通过导通孔与开关管的输入电极电连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,

所述开关管是薄膜晶体管,所述控制电极是薄膜晶体管的栅极,所述输入电极、输出电极分别为薄膜晶体管的源极、漏极。

9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,

所述薄膜晶体管的源极、漏极以及像素电极同属于一层透明导电层。

10.一种液晶显示装置,其特征在于,包括如权利要求7-9任一项所述的阵列基板。

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