[发明专利]一种液晶显示装置、阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201210269093.9 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN102768991A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 陈政鸿 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶 显示装置 阵列 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,特别是涉及一种液晶显示装置、阵列基板及其制作方法。
背景技术
液晶显示面板的制作过程一般分为阵列(Array)制程、组立(Cell)制程以及模组(Module)制程。其中,阵列制程主要是产生薄膜晶体管玻璃基板(也称为阵列基板),其作为液晶显示面板制作过程的第一道工序,所产生的薄膜晶体管玻璃基板的好坏对后续制程有着重大影响,甚至决定液晶显示面板的好坏。
阵列制程一般经过五道光罩制程(5PEP),以在没有任何杂质的玻璃上形成薄膜晶体管等结构。参阅图1-图3,第一道制程SP1中,首先在玻璃1上镀上第一金属层11,第一金属层11用于形成作为薄膜晶体管的栅极和扫描线;然后进入第二道制程SP2,在第一金属层11上形成绝缘层(Isolator Layer)12,并在用于形成薄膜晶体管的栅极的第一金属层11所对应的绝缘层12上形成一层半导体层13;在第三道制程SP3中,在绝缘层12以及半导体层13上镀上第二金属层14,用于形成数据线、薄膜晶体管的源极和漏极;在第四道制程SP4中,在第二金属层14、第二金属层14所没有覆盖的半导体层13以及绝缘层12上形成钝化层(Passivation Layer,PV)15,并在钝化层15对应的用于形成薄膜晶体管的漏极的第二金属层14的位置形成导通孔151;在第五道制程SP5中,在钝化层15上形成透明导电层16,透明导电层16用于形成像素电极,并且使透明导电层16通过导通孔151与用于形成薄膜晶体管的漏极的第二金属层14电性连接,以实现像素电极通过导通孔151与薄膜晶体管的漏极电性连接。
在上述五道光罩制程中,第一金属层11用于形成扫描线和薄膜晶体管的栅极,第二金属层14用于形成数据线、薄膜晶体管的源极和漏极。在液晶显示面板中,扫描线和数据线会相互交错,因此第一金属层11和第二金属层14会重叠,形成相互跨线的重叠区域。而在设计液晶显示面板周边线路时,为了降低信号线路和测试线路的阻值,通常会大量地使用第一金属层11和第二金属层14的重叠结构,使其同时传导相同的信号以降低信号线路和测试线路的阻值并减小信号的延迟。
但是,在五道光罩制程的第四道制程SP4中,在钝化层15上形成导通孔151时,通常是以干式蚀刻(Dry Etch)的方式进行,即利用等离子的化学反应方式去蚀刻钝化层15以形成导通孔151。此时,第一金属层11和第二金属层14并没有相互导通的路径,使得相互重叠的第一金属层11和第二金属层14之间会因为等离子的作用而产生电位差异。当电位差异较大时有可能会造成第一金属层11和第二金属层14之间的绝缘层12崩溃而引起静电炸伤或造成两金属层上下短路。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种液晶显示装置、阵列基板及其制作方法,能够大大降低阵列基板制作过程中静电炸伤的机率,提高阵列基板的良率。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板的制作方法,包括在基底上由下至上依次形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层,第一导电层用于形成相互电连接的扫描线和开关管的控制电极,第二导电层的数量至少为一,用于形成开关管的输入电极、输出电极以及透明的像素电极,输出电极与像素电极电连接;对第二绝缘层进行干蚀刻以形成导通孔;在第二绝缘层上形成第三导电层,使第三导电层通过导通孔与开关管的输入电极电连接,第三导电层用于形成数据线。
其中,在基底上由下至上依次形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层的步骤包括:在基底上形成第一金属层;对第一金属层进行蚀刻,形成相互电连接的扫描线和作为开关管的薄膜晶体管的栅极;在薄膜晶体管的栅极和扫描线之上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上形成透明导电层;对透明导电层进行蚀刻,形成薄膜晶体管的源极、漏极以及像素电极,并且薄膜晶体管的漏极与像素电极电连接;在薄膜晶体管的源极、漏极与像素电极之上形成第二绝缘层。
其中,在薄膜晶体管的栅极和扫描线之上形成第一绝缘层之后的步骤包括:在薄膜晶体管的栅极对应的第一绝缘层上形成一半导体层,使薄膜晶体管的源极和漏极分别与半导体层连接。
其中,对第二绝缘层进行干蚀刻以形成导通孔的步骤包括:在薄膜晶体管的源极对应的第二绝缘层上进行干蚀刻,以在第二绝缘层和薄膜晶体管的源极之间形成导通孔。
其中,在薄膜晶体管的源极对应的第二绝缘层上进行干蚀刻的步骤包括:利用反应离子刻蚀的干蚀刻方式在薄膜晶体管的源极对应的第二绝缘层上进行干蚀刻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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