[发明专利]用于处理基板的设备和方法

说明书

技术领域

这里公开的本发明涉及处理基板的设备和方法，并且更具体地涉及通过超临界工艺处理基板的设备和方法。

背景技术

半导体器件通过多种工艺制成，诸如光刻工艺，其中，光刻工艺在诸如硅片的在基板上形成电路图案。在这样的工艺期间，产生多种污染物，诸如微粒、有机污染物和金属杂质。这样的污染物在基板上导致缺陷并且由此影响半导体器件性能和处理产出率。因此，在半导体器件制造工艺中包括清洗工艺以除去污染物。

例如，清洗工艺包括：化学工艺，其中使用化学制品将污染物从基板去除；洗选工艺，其中使用纯水洗去化学制品；和干燥工艺，其中基板被干燥。在这样的干燥工艺中，用诸如异丙醇（IPA）的有机溶剂替换纯水，所述有机溶剂诸如具有比较低的表面张力，并且有机溶剂被蒸发。

然而，虽然有机溶剂被用于干燥工艺，但在具有30nm或更小的线宽的精细电路图案的半导体器件中，所述干燥工艺可导致图案皱缩。由此，代替此种干燥工艺，增加了对超临界干燥工艺的使用。

发明内容

本发明被提供用以通过使用超临界流体来干燥基板的非图案侧以及基板的图案侧。

另外，本发明被提供以防止基板在超临界工艺中倾斜。

本发明的特征和方面不局限于上述的这些特征和方面，通过下面的描述和附图，本发明的其它的特征和方面将被本领域技术人员清晰地理解。

本发明的实施例提供了一种用于处理基板的设备，所述设备包括：壳体，所述壳体提供用于执行工艺的空间；支撑构件，所述支撑构件设置在所述壳体中以支撑基板；供给口，所述供给口构造成将处理液供给到所述壳体；遮蔽构件，所述遮蔽构件设置在所述供给口和所述支撑构件之间以阻止所述处理液直接注入到所述基板；和排出口，所述排出口构造成将所述处理液从壳体排出。

在一些实施例中，所述供给口可包括设置在所述壳体的不同的表面处的第一供给口和第二供给口，并且所述遮蔽板可以设置在所述支撑构件和所述第一供给口之间。

在其它的实施例中，所述第一供给口可以设置在所述壳体的下表面处以将所述处理液注入到所述基板的底侧的中央区域，并且所述第二供给口可以设置在所述壳体的上表面处以将所述处理液注入到所述基板的顶侧的中央区域。

还在其它的实施例中，所述设备可进一步包括控制器，所述控制器执行控制操作以通过所述第一供给口并且然后通过所述第二供给口供给处理液。

还在其它的实施例中，所述设备可进一步包括支撑件，所述支撑件从所述壳体的下表面延伸，其中所述遮蔽板可放置在所述支撑件上。

还在其它的实施例中，所述遮蔽板可具有大于所述基板的半径的半径。

在进一步的实施例中，所述工艺可以是超临界工艺，并且所述处理液可以为超临界流体形态。

在更进一步的实施例中，所述壳体可包括上壳体和设置在所述上壳体下方的下壳体，其中所述设备可进一步包括提升构件，所述提升构件构造成提升所述上壳体和所述下壳体中的一个。

在更进一步的实施例中，所述支撑构件可从所述上壳体向下延伸，并且所述支撑构件的下端可以水平地弯折以支撑所述基板的边缘区域。

在更进一步的实施例中，所述设备可进一步包括水平定位构件，所述水平定位构件用以调节所述上壳体的水平位置。

在一些实施例中，所述第一供给口可以设置在所述下壳体处，并且所述第二供给口可以设置在所述上壳体处。

在其它的实施例中，所述壳体可具有开口的侧面并且包括垂直地可移动的门以打开和闭合所述开口的侧面。

还在其它的实施例中，所述设备可进一步包括按压构件，所述按压构件构造成将压力施加到所述门以闭合所述壳体。

在本发明的其它实施例中，提供了用于处理基板的方法，所述方法包括：将基板运载到壳体中；将所述基板放置在支撑构件上；将处理液供给到所述基板；阻止所述处理液直接注入到所述基板；将所述处理液从所述壳体排出；并且将所述基板运载出所述壳体。

在一些实施例中，对所述处理液的阻止可用设置在所述支撑构件和供给所述处理液的供给口之间的遮蔽板执行。

在其它的实施例中，所述处理液供给口的供给可以以如下方式执行：通过设置在所述壳体的上表面处的第一供给口朝向所述基板的顶侧注入所述处理液，且通过设置在所述壳体的下表面处的第二供给口朝向所述基板的底侧注入所述处理液,并且可以使用设置在所述第二支撑口和所述支撑构件之间的所述遮蔽板执行对所述处理液的阻止，从而防止朝向所述基板的底侧注入的所述处理液被直接注入到所述基板。