[发明专利]一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种在半导体衬底上制作横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的方法，包括：

制作栅极；

制作体区，其中所述体区包含体区弯度，制作所述体区包括：

在所述半导体衬底上制作阱，其中所述阱为第一掺杂类型；和

制作基区，其中所述基区为所述第一掺杂类型，所述基区和所述阱部分重叠，且所述基区比所述阱深度浅；以及

制作源极区和漏极接触区，其中所述源极区和所述漏极接触区为第二掺杂类型，所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接，所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧；

其中通过调节所述阱的布图宽度来控制所述体区弯度。

2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述阱的布图宽度以与所述体区弯度成负相关的方式对所述体区弯度进行控制。

3. 根据权利要求1所述的方法，其中通过增大阱的布图宽度来降低所述体区弯度。

4. 根据权利要求1所述的方法，其中通过增大阱的布图宽度来增大击穿电压。

5. 根据权利要求1所述的方法，其中所述基区通过和所述栅极的边缘对准制作，所述方法进一步包括进行退火工艺使得所述基区扩散到栅极下形成沟道区域。

6. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括制作第二阱，所述第二阱为所述第二掺杂类型，制作所述第二阱包括：

与第一掺杂类型的所述阱边缘对准在第一掺杂类型的所述阱上制作氧化物；

以所述氧化物作为掩膜制作第二掺杂类型的所述第二阱；以及

进行退火工艺，使所述第二阱横向扩散至第一掺杂类型的所述阱下方；

其中制作所述栅极在制作所述第二阱之后进行。

7. 一种在半导体衬底上制作横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的方法，包括：

制作第一阱，所述第一阱为第一掺杂类型，所述第一阱包含布图间隔；

制作体区，所述体区含体区弯度，制作所述体区包括：

在所述布图间隔中制作第二阱，所述第二阱为第二掺杂类型；和

制作基区，所述基区为所述第二掺杂类型，所述基区和所述第二阱部分重叠，且所述基区比所述第二阱深度浅；

制作栅极；以及

制作源极区和漏极接触区，其中所述源极区和所述漏极接触区为所述第一掺杂类型，所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接，所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧；

其中通过调节所述第一阱的布图间隔宽度来控制所述体区弯度。

8.  根据权利要求7所述的方法，其中在所述布图间隔中制作第二阱包括：

和所述第一阱对准在所述第一阱上制作氧化物；以及

采用所述氧化物作为掩膜用于在所述布图间隔中制作所述第二阱。

9. 根据权利要求7所述的方法，其中所述第一阱的布图间隔以与所述体区弯度成负相关的方式对所述体区弯度进行调节。

10. 根据权利要求7所述的方法，其中所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。