[发明专利]一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件，具体涉及横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。

背景技术

LDMOS器件广泛应用于高压领域，例如用于电源、电源控制、通信、汽车电子和工业控制等领域。LDMOS器件的击穿电压是影响其性能的一个关键参数。因此，设计LDMOS器件的主要目标便是如何在保持其它性能的前提下提高击穿电压，其中影响击穿电压的因素有很多。

在一些应用中，一片集成电路芯片上需要集成多个对击穿电压要求不同的LDMOS器件。

为了实现上述要求，现有的技术往往采用增加掩膜层来实现，或者采用复杂的步骤实现，这些方法很大地提高了成本。

因此，有必要提出一种低成本的方法来解决上述问题，消除上述缺陷。

发明内容

为了解决前面描述的一个问题或者多个问题，本发明提出一种通过调节阱的布图宽度或布图间隔来控制横向扩散金属氧化物半导体的体区弯度和击穿电压的制作方法。

根据本发明一实施例的一种在半导体衬底上制作横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的方法，包括：制作栅极；制作体区，其中所述体区包含体区弯度，制作所述体区包括：在所述半导体衬底上制作阱，其中所述阱为第一掺杂类型，和制作基区，其中所述基区为所述第一掺杂类型，所述基区和所述阱部分重叠，且所述基区比所述阱深度浅；以及制作源极区和漏极接触区，其中所述源极区和所述漏极接触区为第二掺杂类型，所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接，所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧；其中通过调节所述阱的布图宽度来控制所述体区弯度。

根据本发明又一实施例的一种在半导体衬底上制作横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的方法，包括：制作第一阱，所述第一阱为第一掺杂类型，所述第一阱包含布图间隔；制作体区，所述体区含体区弯度，制作所述体区包括：在所述布图间隔中制作第二阱，所述第二阱为第二掺杂类型，和制作基区，所述基区为所述第二掺杂类型，所述基区和所述第二阱部分重叠，且所述基区比所述第二阱深度浅；制作栅极；以及制作源极区和漏极接触区，其中所述源极区和所述漏极接触区为所述第一掺杂类型，所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接，所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧；其中通过调节所述第一阱的布图间隔宽度来控制所述体区弯度。

附图说明

为了更好的理解本发明，将根据以下附图对本发明进行详细描述：

图1示出了一个现有的LDMOS器件截面图；

图2示出了半导体的阱形成过程中注入宽度影响注入深度的一种现象；

图3A-3F示出了根据本发明一实施例的N型LDMOS器件制造方法，其中该LDMOS的体区弯度受P阱的布图宽度调节；

图4A和图4B分别示出了根据本发明一实施例的一个含较小P阱宽度的LDMOS器件截面图和一个含较大P阱宽度的LDMOS器件截面图；

图5A示出了根据本发明一实施例的P阱布图宽度和体区弯度的关系图；图5B示出了根据本发明一实施例的P阱布图宽度和击穿电压的关系图；

图6A-6D示出了根据本发明一实施例的制造LDMOS器件的另一方法；

图7A-7G示出了根据本发明一实施例的制造N型LDMOS器件的第三种方法，其中LDMOS器件的体区弯度受N阱的布图间隔宽度控制；

图8示出了根据本发明一实施例的包含LDMOS器件的半导体器件截面图。

同样的附图标记在不同附图中表明相同或相似的内容。

具体实施方式

下面参照附图充分描述本发明的包括LDMOS器件的半导体器件及其制作方法的各示范实施例。在一个实施例中，半导体器件包括集成于半导体衬底内的LDMOS器件。LDMOS器件包括栅极、体区、源极区和漏极接触区。其中LDMOS器件的体区弯度通过调节体区阱的布图宽度来控制。在下面对本发明的详细描述中，为了更好地理解本发明，描述了大量的细节。然而，本领域技术人员将理解，没有这些具体细节，本发明同样可以实施。为了清晰明了地阐述本发明，本文简化了一些具体结构和功能的详细描述。此外，在一些实施例中已经详细描述过的类似的结构和功能，在其它实施例中不再赘述。尽管本发明的各项术语是结合具体的示范实施例来一一描述的，但这些术语不应理解为局限于这里阐述的示范实施方式。

在关于本发明的描述中，A和B“正相关”表示当B增大时A也相应增大，或者说当Ｂ降低时Ａ也相应降低，反之亦然。Ａ和Ｂ“负相关”表示Ａ和Ｂ呈彼此消长的关系，即当Ｂ增大时Ａ相应降低或当Ｂ降低时Ａ相应增大。