[发明专利]一种过欠压保护电路

权利要求书

1.一种过欠压保护电路，其特征在于：包括有全波整流电路单元、脱扣电路单元和驱动电路单元，脱扣电路单元由脱扣线圈L1、可控硅Q1和二极管D2串联构成，驱动电路单元包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压管ZD1、三极管Q2和二极管D7，其中电阻R1一端接全波整流电路单元的阴极，电阻R1另一端与电阻R3连接，电阻R3另一端接GND，稳压管ZD1阴极接于电阻R1和电阻R3的结点，阳极接于可控硅Q1门极，电阻R2一端接于全波整流电路单元的阴极，另一端接于三极管Q2发射极，三极管Q2基极经电阻R4接于电阻器R1和电阻器R3的结点，集电极经电阻R5接于GND，二极管D7阳极接于晶体管Q2集电极，阴极接于可控硅Q1门极。

2.根据权利要求1所述的过欠压保护电路，其特征在于：所述电阻R1和电阻R3的结点上连接有极性电容器C1，该极性电容器C1阳极接于电阻器R1和电阻器R3的结点，阴极接于GND，所述三极管Q2的发射极上连接有稳压管ZD2和电容C3，稳压管ZD2的阳极和电容C3的另一端接于GND，所述可控硅Q1的门极上连接有电容C2，电容C2的另一端连接于GND。

3.根据权利要求1或2所述的过欠压保护电路，其特征在于：所述全波整流电路单元包括有压敏电阻RV1、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，L相和N相分别连接于压敏电阻RV1两端后，接于二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6构成整流电路整流。