[发明专利]一种过欠压保护电路

说明书

技术领域

 本发明涉及一种电子电路，特别是指对电压检测，对过电压和欠电压进行保护的电路。

背景技术

目前，电压常常会存在因接线失误将380V电压施加在220V电路上或电网不稳定造成的电源过电压或欠电压，烧毁断路器下端负荷设备的情况，为解决因电源过压或欠压造成的问题，采用电子检测电路检测到电压或欠压后驱动断路器进行分断，目的是保护断路器下方负荷设备；现有的过欠压保护电路与本发明的完全不同，其存在电快速瞬变脉冲群性能均不高于2kV，浪涌性能不高于4kV的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种可以将电快速瞬变脉冲群试验提高到4kV以上，浪涌试验提高到差模4kV，共模5KV以上的新型的过欠压保护电路。

为了实现以上目的，本发明采用以下技术方案：一种过欠压保护电路，其特征在于：包括有全波整流电路单元、脱扣电路单元和驱动电路单元，脱扣电路单元由脱扣线圈L1、可控硅Q1和二极管D2串联构成，驱动电路单元包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压管ZD1、三极管Q2和二极管D7，其中电阻R1一端接全波整流电路单元的阴极，电阻R1另一端与电阻R3连接，电阻R3另一端接GND，稳压管ZD1阴极接于电阻R1和电阻R3的结点，阳极接于可控硅Q1门极，电阻R2一端接于全波整流电路单元的阴极，另一端接于三极管Q2发射极，三极管Q2基极经电阻R4接于电阻器R1和电阻器R3的结点，集电极经电阻R5接于GND，二极管D7阳极接于晶体管Q2集电极，阴极接于可控硅Q1门极。

采用上述方案，脱扣线圈L1和可控硅Q1串联之后，与二极管D2串联构成脱扣电路。二极管D2提高了可控硅Q1的触发电压，同时二极管D2的PN结结构提高了触发脱扣电路所需的能量，这样就提高了电磁抗扰度性能。本电路通过合理设计及适当的元器件参数选择，可以将电快速瞬变脉冲群性能提高到4kV以上，浪涌性能也提高到4kV以上。

本发明的进一步设置是：所述电阻R1和电阻R3的结点上连接有极性电容器C1，该极性电容器C1阳极接于电阻器R1和电阻器R3的结点，阴极接于GND，所述三极管Q2的发射极上连接有稳压管ZD2和电容C3，稳压管ZD2的阳极和电容C3的另一端接于GND，所述可控硅Q1的门极上连接有电容C2，电容C2的另一端连接于GND；所述全波整流电路单元包括有压敏电阻RV1、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，L相和N相分别连接于压敏电阻RV1两端后，接于二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6构成整流电路整流。

通过上述进一步的方案，使该电路功能更加合理，其中稳压管DZ2提供欠压保护的基准电压，同时保护三极管Q2，防止三极管Q2过电压击穿，电容C1和电容C3对电压进行平滑作用，同时通过不同参数的选择，实现对上电时序的控制，电容C2滤除小信号噪声对可控硅Q1造成的误触发，同时提高可控硅Q1阳极和阴极的dV/dt，降低被误触发的可能。

下面结合附图对本发明作进一步详细说明。

附图说明

图1是本发明实施例电路结构图。

具体实施方式

如图1所示，L相和N相分别连接于压敏电阻RV1两端后，接于二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6构成的整流电路整流。脱扣线圈L1和二极管D1并联后，一端连于二极管D4，另一端连于可控硅Q1阳极，二极管D2阳极接于可控硅Q1阴极，阴极接于GND，电容C2一端接于可控硅Q1门极，另一端接于GND，电阻R1一端接于二极管D4阴极，另一端接于电阻R3一端，而电阻R3另一端接于GND，极性电容器C1阳极接于电阻R1和电阻R3的结点，阴极接于GND，电阻R2一端接于二极管D4阴极，另一端接于三极管Q2发射极。三极管Q2基极经电阻R4接于电阻R1和电阻R3的结点，集电极经电阻R5接于GND，二极管D7阳极接于三极管Q2集电极，阴极接于可控硅Q1门极。稳压管ZD2阴极接于三极管Q2发射极，阳极接于GND，稳压管ZD1阴极接于电阻器R1和电阻器R3的结点，阳极接于可控硅Q1门极，电容C3一端接于稳压管ZD2阴极，另一端接于GND。

具体工作原理：电阻R1和电阻R3通过对整流后电压分压，当电压过高时，通过ZD1稳压管驱动可控硅Q1实现脱扣保护；电阻R1和电阻R3通过对整流后电压分压，当电压过低时，三极管Q2导通，通过D7驱动Q1实现脱扣保护。