[发明专利]Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法

权利要求书

1. Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1） 将清洗吹干的基材装夹在载物台上，正对离子束源；

2） Ar⁺离子束轰击基材，清洗和活化基材；

3） 通入包含碳源气体和氩气的混合气体，采用Ag/Ti合金靶，固定或者旋转载物台在基材上制备Ag、Ti共掺杂的DLC薄膜。

2. 根据权利要求1所述的Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2）中，Ar⁺离子束轰击基材的本底真空达到10^-4Pa数量级时，Ar气0~50sccm，基材负偏压0~1200V，占空比0~100%。

3. 如权利要求1所述的Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于步骤（1）所述的基材是单晶Si片、不锈钢、玻璃的任一种。

4.如权利要求1所述的Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于步骤（3）的碳源气体是乙炔气体、甲烷气体或者甲苯气体的任一种，体积为总混合气体体积的15%~30%。

5. 如权利要求1所述的Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于步骤（3）Ag/Ti合金靶中Ag：Ti=1：3-3：1。

6. 如权利要求1所述的Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于步骤（3）腔体内的气压稳定在8.0×10^-1Pa~9.0×10^-1Pa，加载在靶材上的功率为100W-250W；基材负偏压是0V-100V；占空比为20%-80%，沉积时间是1h。

7. 如权利要求1所述的Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于步骤（1）基材与靶材的距离保持在7~8cm，载物台转速为10rpm。

8.如权利要求1所述的Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于步骤（2）清洗完基材后，保持Ar气，开启直流和射频电源，让Ag/Ti合金靶空跑，以去除表面的氧化物。