[发明专利]液晶显示装置用阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，包括步骤：

a)在基板上形成栅极；

b)在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层；

c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；

d)在所述半导体层上形成源极/漏极；以及

e)形成与所述漏极连接的像素电极；

所述方法的特征在于，

所述步骤a)包括：在所述基板上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；使用蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜，所述铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或所述铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜，从而形成所述栅极；

所述步骤d)包括：在所述半导体层上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；使用所述蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜，所述铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或所述铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜，从而形成所述源极/漏极；且

所述蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重量，包含：A)5.0至25.0重量％的过氧化氢(H₂O₂)；B)0.01至1.0重量％的含氟化合物；C)0.1至5.0重量％的唑化合物；D)0.5至4.0重量％的选自由无机酸、磺酸、草酸或其盐，以及有机过酸组成的组中的一种或多种；以及E)余量为水。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述液晶显示装置用阵列基板是薄膜晶体管(TFT)阵列基板。

3.一种形成配线的方法，包括步骤：

I)在基板上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；

II)在所述铜基金属膜，所述铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或所述铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜上选择性地留下光反应性物质；以及

III)使用蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜，所述铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或所述铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；

其中，所述蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重量，包含：A)5.0至25.0重量％的过氧化氢(H₂O₂)；B)0.01至1.0重量％的含氟化合物；C)0.1至5.0重量％的唑化合物；D)0.5至4.0重量％的选自由无机酸、磺酸、草酸或其盐，以及有机过酸组成的组中的一种或多种；以及E)余量为水。

4.一种用于铜基金属膜、铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜的蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重量，包含：

A)5.0至25.0重量％的过氧化氢(H₂O₂)；

B)0.01至1.0重量％的含氟化合物；

C)0.1至5.0重量％的唑化合物；

D)0.5至4.0重量％的选自由无机酸、磺酸、草酸或其盐，以及有机过酸组成的组中的一种以上；以及

E)余量为水。

5.根据权利要求4所述的用于铜基金属膜、铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜的蚀刻剂组合物，其特征在于，

B)所述含氟化合物包括选自由氟化铵(ammonium fluoride：NH₄F)、氟化钠(sodium fluoride：NaF)、氟化钾(potassium fluoride：KF)、氟化氢铵(ammonium bifluoride：NH₄F·HF)、氟化氢钠(sodium bifluoride：NaF·HF)及氟化氢钾(potassium bifluoride：KF·HF)组成的组中的一种或两种以上。

6.根据权利要求4所述的用于铜基金属膜、铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜的蚀刻剂组合物，其特征在于，

C)所述唑化合物包括选自由氨基四唑(aminotetrazole)、苯并三唑(benzotriazole)、甲苯基三唑(tolyltriazole)、吡唑(pyrazole)、吡咯(pyrrole)、咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丙基咪唑、2-氨基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑及4-丙基咪唑组成的组中的一种或两种以上。