[发明专利]液晶显示装置用阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法。

背景技术

在液晶显示装置的基板上形成金属配线的过程通常包括使用溅射等形成金属膜的工序，实行涂布光刻胶、基于曝光及显影使得在选择性区域上形成光刻胶的工序，以及实行蚀刻的工序，并且在各个别工序前后进行清洗工序等。该蚀刻工序是指使用光刻胶作为光罩，在选择性的区域上形成金属膜的工序，通常有使用等离子体等的干式蚀刻，或使用蚀刻剂组合物的湿式蚀刻。

在该液晶显示装置中，最近金属配线的电阻成为主要的关注焦点。这是因为，在薄膜晶体管-液晶显示装置TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display)中，解决RC信号延迟问题成为增加面板尺寸和实现高分辨率的关键，其中电阻为诱发RC信号延迟的主要因素。因此，为了增大TFT-LCD的尺寸，必然要求RC信号延迟减少，必须开发具有低电阻的材料。

由于以往主要使用的铬(Cr，比电阻：12.7×10^-8Ωm)、钼(Mo，比电阻：5×10^-8Ωm)、铝(Al，比电阻：2.65×10^-8Ωm)及其合金的电阻大，很难将其用于大型TFT LCD中使用的栅极及数据线等。因此，作为低电阻金属膜的铜膜及铜钼膜等铜基金属膜和与此对应的蚀刻剂组合物受到关注。但是，由于当前为止公知的铜基蚀刻剂组合物无法满足用户所要求的性能，需要进行提高性能方面的研究开发。

另外，在以往的使用过氧化氢的铜膜蚀刻剂的情况下，具有可实现由铜或铜合金与钼或钼合金构成的多层金属膜的批量湿式蚀刻及图案形成的优点。但是，由于过氧化氢的分解速度由金属层蚀刻时溶解的金属离子，特别是由铜离子而变快并引起过热现象，存在蚀刻剂稳定性大幅降低的问题。并且，在多层金属膜的情况下，随着溶解的金属离子浓度增加，由于使用过氧化氢蚀刻铜层的速度和使用氟化合物蚀刻钼合金层的速度之差以及电效果的影响，使得两金属层接合的界面发生变形，存在蚀刻特性不良的问题。

在韩国专利公开第2005-0067934好中，公开了用于批量蚀刻铜金属层和透明导电层的，包含硝酸、盐酸、过氧化氢、唑化合物(azole compound)的蚀刻剂。但是，在上述专利的情况下，由于盐酸对铜金属层的损伤严重，存在难以使用的缺点。

【在先技术文献】

【专利文献】

(专利文献1)KR2005-0067934A

发明内容

本发明的目的在于提供一种蚀刻剂组合物，其能够蚀刻铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜。

本发明的目的在于提供一种蚀刻剂组合物，其在蚀刻时形成具有优异平直性的锥形剖面(taper profile)，并且不留有金属膜的残渣。

本发明的目的在于提供一种蚀刻剂组合物，其可批量蚀刻形成液晶显示装置用阵列基板的栅极及栅线、源极/漏极和数据线的铜基金属膜及铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜。

本发明的目的在于提供一种蚀刻剂组合物，其可批量蚀刻形成液晶显示装置用阵列基板的栅极及栅线、源极/漏极和数据线的铜基金属膜、铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜、以及铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜。

并且，本发明的目的在于提供一种使用所述蚀刻剂组合物的形成配线的方法及液晶显示装置用阵列基板的制造方法。