[发明专利]缺陷密度计算方法

权利要求书

1.一种缺陷密度计算方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、计算晶圆生产线上芯片的产品良率Wafer Yield；

S2、计算所述产品单个芯片的面积Die Area；

S3、根据器件测试项目系数Device Test Bin、光刻系数Litho Coefficient和工艺技术系数Technology Coefficient计算所述产品的芯片制造过程的复杂度系数N；

S4、根据芯片的产品良率Wafer Yield、面积Die Area及复杂度系数N计算缺陷密度D₀。

2.根据权利要求1所述的缺陷密度计算方法，其特征在于，所述步骤S3中复杂度系数N为器件测试项目系数Device Test Bin、光刻系数Litho Coefficient和工艺技术系数Technology Coefficient三者的乘积除以三者之和，即

N=DeviceTestBin×LithoCoefficient×TechnologyCoefficientDeviceTestBin+LithoCoefficient+TechnologyCoefficient.]]>

3.根据权利要求2所述的缺陷密度计算方法，其特征在于，所述光刻系数Litho Coefficient由DUV层数和I-LINE层数计算而得，光刻系数Litho Coefficient等于DUV层数乘以1再加上I-LINE层数乘以0.5，即Litho Coefficient=DUV layers*1+I-LINE layers*0.5。

4.根据权利要求2所述的缺陷密度计算方法，其特征在于，所述器件测试项目Device Test Bin的数值为所需测试项目的总数。

5.根据权利要求2所述的缺陷密度计算方法，其特征在于，所述芯片包括逻辑器件、混合信号器件、闪存存储器和静态随机存储器，工艺技术包括0.5μm、0.35μm、0.18μm和0.13μm工艺。

6.根据权利要求5所述的缺陷密度计算方法，其特征在于，所述工艺技术系数Technology Coefficient具体为：

混合信号器件和静态随机存储器0.5μm、0.35μm、0.18μm和0.13μm工艺中，工艺技术系数Technology Coefficient分别为A、2A、4A、8A；

逻辑器件和闪存存储器0.5μm、0.35μm、0.18μm和0.13μm工艺中，工艺技术系数Technology Coefficient分别为A-B、2A-B、4A-B、8A-B；

其中A和B的值均为预设常数。

7.根据权利要求6所述的缺陷密度计算方法，其特征在于，所述A的值为0.3，B的值为0.2。

8.根据权利要求1所述的缺陷密度计算方法，其特征在于，所述步骤S4中根据芯片的产品良率Wafer Yield、面积Die Area及复杂度系数N计算缺陷密度D₀的公式为：

WaferYield=1(1+DieArea×D0)N.]]>