[发明专利]缺陷密度计算方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种缺陷密度计算方法。

背景技术

目前，半导体制造工序是先在一片晶圆上同时生长几百上千个相同的芯片，全部制程完成后的晶圆又称为裸片。通过对裸片的测试挑选出合格的芯片，并切割封装成产品。通常，对一条晶圆生产线的某种产品良率Wafer Yield的计算方法是，首先随即挑选同一条晶圆生产线生产的此种产品的裸片若干（数量可以根据生产情况变化），然后测试挑选的所有裸片上的全部芯片，用Wafer Yield的计算公式：

Wafer Yield=合格芯片数量/芯片总数

得到某种产品的产品良率Wafer Yield。

但是，由于一条晶圆生产线会生产不同的产品，而对于不同产品，由于其芯片设计和制造工艺不同，产品良率Wafer Yield也会有所不同。因此，某种产品的产品良率Wafer Yield就不能反映晶圆生产线的能力。为了解决这个问题，引入了表示晶圆生产线能力的指标：缺陷密度（Defect density）D₀，单位为缺陷个数每平方英寸，缺陷密度D₀可以由产品良率Wafer Yield计算。

目前广泛使用缺陷密度公式表示某种产品的产品良率与缺陷密度的关系为：

WaferYield=1(1+DieArea×D0)N]]>

其中，Wafer Yield表示某种产品的产品良率，Die Area表示某种产品的单个芯片的面积（单位：平方英寸），D₀表示缺陷密度（单位：缺陷个数每平方英寸），N表示某种产品的芯片制造过程的复杂度系数。

同时通过标准化换算，将D₀转化为FD₀，进而得到FD₀与WaferYield的关系。其中FD₀为工厂以800个管芯为业界基准，GDPW(GrossDiePerWafer)为一片原片总管芯数。

理论上，缺陷密度FD₀代表了晶圆生产能力，应该只受到晶圆生产线上随机缺陷的影响，是一个稳定的值，即一条晶圆生产线生产的固有缺陷密度FD₀。因此，由固有缺陷密度FD₀可以通过上述公式获得生产线的产品良率Wafer Yield。

在上述模型计算公式中，N表示复杂度系数，现有算法中仅用光刻层数来计算复杂度系数N的值，然而并未考虑不同的器件测试项目系数和不同的工艺技术等对缺陷密度D₀造成的影响，因此计算得到的缺陷密度D₀有很大的误差。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种新的缺陷密度计算方法。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种更合理、更精确的缺陷密度计算方法。

为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：

一种缺陷密度计算方法，所述方法包括以下步骤：

S1、计算晶圆生产线上芯片的产品良率Wafer Yield；

S2、计算所述产品单个芯片的面积Die Area；

S3、根据器件测试项目系数Device Test Bin、光刻系数Litho Coefficient和工艺技术系数Technology Coefficient计算所述产品的芯片制造过程的复杂度系数N；

S4、根据芯片的产品良率Wafer Yield、面积Die Area及复杂度系数N计算缺陷密度D₀。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S3中复杂度系数N为器件测试项目系数Device Test Bin、光刻系数Litho Coefficient和工艺技术系数Technology Coefficient三者的乘积除以三者之和，即