[发明专利]一种提高发射极方块电阻的湿法刻蚀工艺

权利要求书

1.一种提高发射极方块电阻的湿法刻蚀工艺，其特征是，包括以下步骤：

(1)先将扩散后的硅片采用HF清洗，去掉磷硅玻璃，然后用去离子水清洗；

(2)将去掉磷硅玻璃的硅片用HNO₃、HF、H₂SO₄、H₃PO₄混合溶液对硅片表面进行腐蚀，特别是腐蚀产生的NO气体对硅片表面进行腐蚀，将重掺杂区腐蚀掉，方阻再提升5-7 Ω/□左右，然后用去离子水清洗，背表面有趋于弱抛光状态，更平整；

(3)用NaOH溶液清洗硅片，去掉步骤(2)中产生的多孔硅，进一步提高方阻，然后用去离子水清洗；

(4)用HF、HCl混合溶液对硅片进行清洗，去除金属离子，然后去离子水清洗。

2.  根据权利要求1所述的提高发射极方块电阻的湿法刻蚀工艺，其特征是，所述步骤(1)中所用的HF的体积浓度为1%-10%，时间是1min-5min，温度是5-25℃。

3.  根据权利要求1所述的提高发射极方块电阻的湿法刻蚀工艺，其特征是，所述步骤(2) 中所用的HNO₃：HF：H₂SO₄：H₃PO₄的比例是3:1:3:1—10:1:3:1，时间是1min-5min，温度是5-25℃。

4.根据权利要求1所述的提高发射极方块电阻的湿法刻蚀工艺，其特征是，所述步骤(3) 中所用的NaOH溶液浓度为2%-5%，时间是1min-5min，温度是25-50℃。

5.  根据权利要求1所述的提高发射极方块电阻的湿法刻蚀工艺，其特征是，所述步骤(4)中所用的HF和HCl混合溶液的HF:HCl体积比是1:2-1:5，时间是1min-5min，温度是5-25℃。