[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法和液晶显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板上形成有栅极；

覆盖所述栅极的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有半导体有源层，像素电极层、源极和漏极；其中，所述像素电极层位于所述源极和漏极下方，与所述源极和漏极相接触；且所述源极及其下方的像素电极层的叠层、漏极及其及下方的像素电极层的叠层位于所述半导体有源层的同一层；所述源极及其下方的像素电极层的叠层、所述漏极及其下方的像素电极层的叠层被所述半导体有源层断开；

在所述源极、漏极、像素电极层和半导体有源层上形成有钝化层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极及其下方的像素电极层的叠层的厚度、所述漏极及其下方的像素电极层的叠层的厚度与所述半导体有源层的厚度相同。

3.一种阵列基板，包括纵横交叉的栅线、数据线，及存储电容底电极，所述栅线和数据线围成像素单元，其特征在于，所述像素单元包括权利要求1或2所述的薄膜晶体管。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述存储电容底电极和所述数据线之间的交叠处形成有隔垫半导体层；

和/或，在所述栅线和所述数据线之间的交叠处形成有隔垫半导体层。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述像素单元边缘的与所述存储电容底电极以及所述栅线同层的挡光条。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线下方形成有所述像素电极层。

7.一种液晶显示器，其特征在于，包括权利要求3～6所述的任一阵列基板。

8.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成一层金属薄膜通过构图工艺形成栅极；

在所述基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层并通过构图工艺处理得到位于所述栅极上方的半导体有源层；

在所述基板上先后形成一层像素电极层和一层金属薄膜；

通过一次构图工艺形成源极和漏极并去除所述半导体有源层上方的所述像素电极层和金属薄膜；

在以此得到的所述整个基板上形成钝化层。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成一层金属薄膜，通过构图工艺形成栅线、栅极、存储电容底电极；

在所述基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层并通过构图工艺处理得到位于所述栅极上方的半导体有源层；

在所述基板上先后形成一层像素电极层和一层金属薄膜；

通过构图工艺处理得到数据线、源极、漏极和像素电极并去除所述半导体有源层上方的所述像素电极层和金属薄膜；

在以此得到的所述整个基板上形成钝化层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

通过形成所述栅线、栅极、存储电容底电极的构图工艺同时形成挡光条。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，还包括：

通过形成所述栅极上方的半导体有源层的构图工艺同时形成位于所述存储电容底电极和所述数据线之间的交叠处的隔垫半导体层，和/或位于所述栅线和所述数据线之间的交叠处的隔垫半导体层。