[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法和液晶显示器。

背景技术

在平板显示技术中，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)具有功耗低、制造成本相对较低、和无辐射的特点，因此在平板显示器市场占据了主导地位。TFT-LCD是由TFT(薄膜晶体管)阵列基板和彩膜基板对盒形成的。

目前主流的非晶硅TFT阵列基板5-Mask(5-掩膜)工艺，每一次工艺都包括沉积、曝光、显影、刻蚀、剥离等。通过各次构图在基板上依次形成栅线、栅绝缘层、半导体有源层、数据线和源、漏极、钝化层、以及像素电极层。

在目前的TFT阵列基板中，由于TFT大多是纵向层叠结构，因此盒厚较厚，降低了液晶响应速度。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法和液晶显示器，减小了薄膜场效应管的厚度。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供了一种薄膜晶体管，包括：

基板；

在所述基板上形成有栅极；

覆盖所述栅极的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有半导体有源层，像素电极层、源极和漏极；其中，所述像素电极层位于所述源极和漏极下方，与所述源极和漏极相接触；且所述源极及其下方的像素电极层的叠层、漏极及其及下方的像素电极层的叠层位于所述半导体有源层的同一层；所述源极及其下方的像素电极层的叠层、所述漏极及其下方的像素电极层的叠层被所述半导体有源层断开；

在所述源极、漏极、像素电极层和半导体有源层上形成有钝化层。

所述源极及其下方的像素电极层的叠层的厚度、所述漏极及其下方的像素电极层的叠层的厚度与所述半导体有源层的厚度相同。

一方面，提供一种阵列基板，包括纵横交叉的栅线、数据线及存储电容底电极，所述栅线和数据线围成像素单元，所述像素单元包括上述的薄膜晶体管。

在所述存储电容底电极和所述数据线之间的交叠处形成有隔垫半导体层；

和/或，在所述栅线和所述数据线之间的交叠处形成有隔垫半导体层。

还包括：位于所述像素单元边缘与所述存储电容底电极和所述栅线同层的挡光条。

所述数据线下方形成有所述像素电极层。

一方面，提供一种液晶显示器，包括上述的任一阵列基板。

一方面，提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在基板上形成一层金属薄膜通过构图工艺形成栅极；

在所述基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层并通过构图工艺处理得到位于所述栅极上方的半导体有源层；

在所述基板上先后形成一层像素电极层和一层金属薄膜；

通过一次构图工艺形成源极和漏极并去除所述半导体有源层上方的所述像素电极层和金属薄膜；

在以此得到的所述整个基板上形成钝化层。

一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在基板上形成一层金属薄膜，通过构图工艺形成栅线、栅极、存储电容底电极；

在所述基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层并通过构图工艺处理得到位于所述栅极上方的半导体有源层；

在所述基板上先后形成一层像素电极层和一层金属薄膜；

通过构图工艺处理得到数据线、源极、漏极和像素电极并去除所述半导体有源层上方的所述像素电极层和金属薄膜；

在以此得到的所述整个基板上形成钝化层。

通过形成所述栅线、栅极、存储电容底电极构图工艺同时形成挡光条。

通过形成所述栅极上方的半导体有源层的构图工艺同时形成位于所述存储电容底电极和所述数据线之间的交叠处的隔垫半导体层，和/或位于所述栅线和所述数据线之间的交叠处的隔垫半导体层。

本发明提供的薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和液晶显示器，其中薄膜晶体管的源极、漏极位于像素电极层之上，且被半导体有源层断开，源极、漏极以及其下的像素电极层和半导体有源层位于同层，且厚度相同；这样，相比现有技术中层叠结构的薄膜晶体管，本发明实施例提供的薄膜晶体管更薄，因此采用该薄膜晶体管的阵列基板更薄，进而做成的面板盒厚较薄，从而提高了液晶响应速度。

附图说明