[发明专利]高频放大器

权利要求书

1.一种高频放大器，具备：

分配电路，将所输入的输入信号分配为多个信号；

FET单元，放大由上述分配电路分配的上述信号；

稳定电路，具有RC并联电路，该RC并联电路分别串联连接在上述分配电路和上述FET单元的栅极端子之间，该RC并联电路分别由电容器和电阻构成；以及

合成电路，合成由上述FET单元放大的信号。

2.如权利要求1所述的高频放大器，其中，

上述FET单元和上述RC并联电路分别通过导线连接。

3.如权利要求1所述的高频放大器，其中，

上述稳定电路配置在与上述FET单元所配置的半导体基板不同的基板上。

4.如权利要求1所述的高频放大器，其中，

上述分配电路、上述稳定电路以及上述合成电路分别配置在与上述FET单元所配置的半导体基板不同的基板上。

5.如权利要求4所述的高频放大器，其中，

上述分配电路和上述稳定电路，配置在与上述FET单元所配置的半导体基板不同的同一基板上。

6.如权利要求4所述的高频放大器，其中，

上述稳定电路具备：

介质的电路基板；

第一电极，形成在该电路基板上；

介质层，形成在该第一电极上，在该介质层上分别形成有上述电阻；

第二电极，形成在上述介质层上，与上述第一电极和上述介质层一起，分别构成上述电容器；以及

第三电极，形成在上述介质层上所形成的通孔上，将上述电阻和上述第一电极电连接。

7.如权利要求5所述的高频放大器，其中，

上述稳定电路具备：

介质的电路基板；

电阻器，形成在该电路基板上；

电容器，形成在上述电路基板上，该电容器由第一电极、形成在该第一电极上的绝缘层以及形成在该介质层上的第二电极构成；

将上述电阻器的一端和上述第一电极电连接的线路；以及

将上述电阻器的另一端和上述第二电极电连接的线路。

8.如权利要求3所述的高频放大器，其中，

与上述半导体基板不同的上述基板是介质基板。

9.如权利要求4所述的高频放大器，其中，

与上述半导体基板不同的上述基板是介质基板。

10.如权利要求5所述的高频放大器，其中，

与上述半导体基板不同的上述基板是介质基板。