[发明专利]用于制造半导体装置的方法和半导体装置

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置的方法，包括：

通过半导体本体（100）的第一侧面（101）向所述半导体本体（100）内注入掺杂物（105）；并且然后

在所述半导体本体（100）的所述第一侧面（101）上形成漂移区层（110）；并且

从与所述半导体本体（100）的所述第一侧面（101）相对置的第二侧面（102）对所述半导体本体（100）进行材料去除，直至由所述掺杂物（105）定义的pn过渡区，或者说由所述pn过渡区限定得出的空间电荷区，或者由所述掺杂物定义的掺杂物集中区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在注入所述掺杂物之前，在半导体本体（200）的第一侧面（201）上形成半导体层（220），并且将所述掺杂物注入到所述半导体层（220）中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，多次重复地形成所述半导体层（220）和将所述掺杂物注入到所述半导体层（220）中，以用于生成具有注入的掺杂物的层堆叠体（220a...220d）。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，随着各个层到所述第二侧面的间距不断增加，向所述层堆叠体（220a...220d）的层中注入的所述掺杂物的剂量调节得更小。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，随着所述层到所述第二侧面的间距不断增加，向所述层堆叠体（220a...220d）的所述层中注入的所述掺杂物的注入轮廓的宽度调节得更小。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中，通过注入用掩模将所述掺杂物引入所述半导体层（220）中或者所述层堆叠体（220a...220d）的至少一个半导体层中。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的方法，其中，所述半导体层（220）或者所述层堆叠体（220a...220d）的所述半导体层分别具有在1μm和10μm之间的范围内的厚度。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述半导体本体的半导体基底选择为p掺杂硅基底。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在将所述掺杂物注入到所述半导体本体（200）之前，通过所述第一侧面将硼注入到所述半导体基底中。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在对所述半导体本体进行材料去除之后，通过第二侧面（202）将其它的掺杂物注入到所述半导体本体中，并且在所述第二侧面上的表面区域中，在有限的时间内熔化并且再结晶所述半导体本体。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，在对所述半导体本体进行材料去除之后，通过所述第二侧面（202）将其它的掺杂物扩散到所述半导体本体中。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，从磷、砷、锑、硒、硫这些材料的一种或者多种中选择所述掺杂物。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，在对所述半导体本体进行材料去除之后，为了制造所述半导体装置，不再向所述半导体本体中注入所述掺杂物。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述半导体装置设计为绝缘栅双极型晶体管，并且利用硼作为所述掺杂物，将所述掺杂物注入到由硅制成的所述半导体本体中。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在从半导体的半导体基底（200）上分离第一半导体层（220）之前注入掺杂物硼。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，在从所述半导体本体的半导体基底（200上分离第一半导体层（220）之后，通过所述第一侧面将所述掺杂物硼注入到所述第一半导体层（220）中。

17.根据权利要求14至16中任一项所述的方法，其中，通过所述第一侧面将n型掺杂物注入到所述半导体本体中，并且所述n型掺杂物朝向所述第一侧面的注入深度选择得比硼的注入深度更大。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，对所述半导体本体进行材料去除包括第一次去除材料至由所述n型掺杂物和p型半导体基底材料定义的pn过渡区，或者说由所述pn过渡区延展得出的空间电荷区，并且包括另一次去除材料至已注入的硼。