[发明专利]用于制造半导体装置的方法和半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置以及一种用于制造该半导体装置的方法。

背景技术

对于电子半导体装置和集成电路（IC）的多个应用场合而言，有利的是，限制半导体装置或者集成电路的总厚度。于是，例如在芯片卡和智能卡中，低重量和低结构高度十分重要。同样地，能够通过有针对性地调节半导体装置中使用的半导体的厚度改良例如垂直的功率半导体元器件的电属性，为此，要让半导体本体的厚度适应于各个功率半导体元器件的电压等级，从而避免由于半导体本体尺寸过大而产生不必要的电阻。

为此，在所使用的半导体本体的整个表面上进行十分精确的并且可重复的厚度调节是值得追求的，从而在生产制造时避免产量损失，并且确保半导体装置或者集成电路有可靠的电属性。

发明内容

下面，本发明的实施例涉及一种用于制造半导体装置的方法，这种方法使得能够精确地并且可重复地打薄半导体装置的半导体本体。其它实施例致力于说明这种半导体装置。

本发明通过独立的权利要求进行定义。在从属权利要求中描述了本发明的改进方案。

一种实施方式涉及一种用于制造半导体装置的方法。该方法包括通过半导体本体的第一侧面将掺杂物注入该半导体本体内。根据这种方法，然后要在该半导体本体的第一侧面上形成漂移区层（Driftzonenschicht），以及从该半导体本体的与第一侧面相对置的第二侧面对这个半导体本体进行材料去除，直至由掺杂物定义的pn过渡区，或者说由pn过渡区延展得出的空间电荷区，或者由掺杂物定义的掺杂物集中区。

根据本发明的一种实施方式的半导体装置包括具有第一侧面和第二侧面的半导体本体。此外，该半导体装置还包括多个场截止区（Feldstoppzonen），该场截止区设计在半导体本体内朝向该半导体本体的第二侧面的不同深处。对于多个场截止区中的一个或者每个场截止区而言，从各个场截止区的掺杂物浓度轮廓的最大值处直至朝向第一侧面的方向的一半最大值处的垂直间距b₁与该掺杂物浓度轮廓的最大值处直至朝向第二侧面的方向的一半最大值处的垂直间距b₂满足关系式0.9<b₁/b₂<1.1。

附图说明

图1A至1C：在制造半导体装置的方法过程期间，半导体本体的示意横断面视图，其中，掺杂物被注入该半导体本体中，以便由此定义出后来对半导体本体进行材料去除的停止。

图2A至2F：在制造半导体装置的方法过程期间，半导体本体的示意横断面视图，其中，n型的场截止区定义出在对p型基底进行材料去除时的终端点。

图3：示出在制造半导体装置的方法过程期间，半导体本体的示意横断面视图，作为图2C中所示过程阶段的代替，其中，在n^-型的漂移区内形成多个朝向p型基底一侧的场截止区。

图4：示出不同于图2D的横截面视图中所示过程步骤的其它的实施方式。

图5：示出不同于图2D和图4的横截面视图中所示过程步骤的其它的实施方式。

具体实施方式

下面参照附图更详尽地阐述各实施例。然而，本发明并不局限于具体描述的实施方式，而是可以用合适的方式修改并变化。只要文中没有对其明显地排除，一种实施方式的单个特征和特征组合就能够与另一种实施方式的单个特征和特征组合适宜地组合起来。

在下面借助附图详尽阐述各实施例之前，要指出的是，附图中一致的元件是用一致的或者类似的附图标记标识的，并且不对这些元件进行重复描述。此外，这些附图不必以忠于实际的尺寸比例示出，因为重点在于展示和说明基本原理。

下面，将pn过渡区定义为半导体本体中的一个位置，在那里，n型掺杂物浓度低于p型掺杂物浓度，或者p型掺杂物浓度低于n型掺杂物浓度，或者说p和n型掺杂物浓度之间的差值更换它的符号。

图1A至1C示出在根据一种实施方式制造半导体装置的各个不同过程段期间，一个半导体本体100的示意横断面视图。