[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制作方法和浅沟槽隔离结构

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：

a）提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；

b）在所述沟槽的下部填充高深宽比氧化物层；

c）在所述沟槽的上部填充高密度等离子体氧化物层，以形成浅沟槽隔离结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述a）步骤中提供的所述半导体衬底的表面形成有有源区覆盖层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述有源区覆盖层的材料为氮化物。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法在所述c）步骤之后还包括去除所述有源区覆盖层的步骤。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的底部和侧壁上形成有第一衬垫氧化物层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述b）步骤之后还包括在所述沟槽的上部的侧壁上形成第二衬垫氧化物层，以补偿所述b）步骤中消耗的所述第一衬垫氧化物层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述b）步骤包括：

在所述半导体衬底上和所述沟槽内形成高深宽比氧化物材料层；以及

回蚀去除所述半导体衬底上和所述沟槽的上部的高深宽比氧化物材料层，以形成所述高深宽比氧化物层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，去除所述半导体衬底上和所述沟槽的上部的高深宽比氧化物材料层包括：

执行平坦化工艺，至去除所述沟槽以外的所述高深宽比氧化物材料层；

采用湿法刻蚀去除所述沟槽的上部的所述高深宽比氧化物材料层；以及

采用SiCoNi工艺对剩余的所述高深宽比氧化物材料层的表面进行修整，以形成所述高深宽比氧化物层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述SiCoNi工艺包括：

采用NF₃和NH₃进行干法刻蚀；

执行原位退火。

10.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构是采用如权利要求1-9中任一项所述的方法制成的。