[发明专利]一种基板、显示装置及该基板的制备方法有效
申请号: | 201210287742.8 | 申请日: | 2012-08-13 |
公开(公告)号: | CN102810571A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 舒适;惠官宝;薛建设;徐传祥;刘陆;齐永莲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/77;H01L21/768 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 李娟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,特别涉及一种基板、显示装置及该基板的制备方法。
背景技术
COA(Color Filter on Array)技术是将彩色层制备在阵列基板上的技术,COA基板的基本结构如图1所示,在衬底基板1上依次形成薄膜晶体管TFT、彩色层4和像素电极5,TFT的漏极2与彩色层4之间具有保护层3,且漏极2上方设置有贯穿彩色层4的过孔,像素电极5与漏极2之间过孔连接。因为COA结构的显示面板不存在彩膜基板与阵列基板的对位问题,所以可以降低显示面板制备过程中对盒制程的难度,避免了对盒时的误差,因此黑色矩阵可以设计为窄线宽,提高了开口率。
当COA技术的实现方式采用在基板1上依次形成漏极2-保护层3-彩色层4-像素电极5的制作顺序时,需要在漏极2上方形成贯穿彩色层4和保护层5的过孔,如图1中虚线内所示结构;具体形成方法如如图2所示:如图2中a~c所示,首先在制备彩色层4时留下第一开孔A,利用彩色层4作为掩膜,对第一开孔A位置露出的保护层3进行干刻,形成过孔,这样制作可以减少一次构图工艺(一般包括涂胶-曝光-显影-刻蚀-剥离等工艺);但是,保护层3在干刻工艺中会产生过刻,即保护层3在对彩色层4的第一开孔A下边缘露出部分的部分进行刻蚀后,还会横向刻蚀一部分,导致保护层3生成的第二开孔B的边缘尺寸大于彩色层4的第一开孔A下边缘的尺寸,如图2中d所示,因此造成由形成的整个过孔的表面不平整,在形成像素电极5时会导致断线不良,如图2中e所示。同时,由于该过孔贯穿彩色层4和保护层3(彩色层4和保护层3的厚度之和约在几微米),导致过孔的深度较深,在形成像素电极5时也容易产生断线不良。
发明内容
本发明提供了一种基板,该基板过孔中设有用于填充过孔的导电填充层,可改善由于过孔的深度过深或过孔内表面不平整造成的导电层的断线不良;另外,本发明还提供了一种显示装置和一种上述基板的制备方法。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种COA基板,包括薄膜晶体管TFT、彩色层和像素电极,所述TFT的漏极上方设置有贯穿所述彩色层的过孔,所述过孔中设置有导电填充层,所述像素电极通过所述导电填充层与所述TFT的漏极连接。
优选地,该基板还包括设置于TFT和彩色层之间的保护层,所述过孔延伸并贯穿所述保护层。
优选地,所述导电填充层的厚度大于或等于所述保护层的厚度且小于或等于所述过孔的深度。
优选地,所述导电填充层的厚度为0.8μm~2.8μm。
优选地,所述导电填充层的厚度为1.0μm~2.4μm。
优选地,所述导电填充层为光刻银胶。
本发明还提供一种显示装置,包括上述的基板。
本发明还提供一种上述的COA基板的制备方法,包括以下步骤:
在衬底基板上形成薄膜晶体管TFT和彩色层,并在形成露出TFT的漏极的至少一个过孔;
向每一个过孔内注入导电填充材料;
对所述导电填充材料进行固化处理,形成导电填充层。
在彩色层以及各个过孔中的导电层之上溅射像素电极层,并形成相应图形的像素电极,像素电极与源极之间通过导电填充层实现电连接。
优选地,步骤向每一个过孔内注入导电填充材料中,具体采用喷墨印刷的方式将所述导电填充材料注入所述过孔中。
优选地,所述导电填充材料为光刻银胶。
优选地,步骤对所述导电填充材料进行固化处理,形成导电填充层中具体包括:
在50℃~120℃下对所述导电填充材料烘烤2~15min,对整片COA基板进行无掩膜曝光,曝光强度为150mJ/cm3~330mJ/cm3;对所述导电填充材料进行显影去除多余部分,得到一定厚度的导电填充材料;在100℃~250℃下烘烤20~40min,得到导电填充层。
本发明通过在COA基板的过孔中形成导电填充层,有效地解决了由于过孔深度过深或过孔内表面不平整导致的导电层断线问题,提高了良率。
附图说明
图1为现有技术中COA基板基本结构示意图;
图2为现有技术中COA基板形成过孔和像素电极的原理示意图;
图3为本发明提供的COA基板的结构示意图;
图4为本发明提供的COA基板过孔区域放大后的示意图;
图5为本发明提供的COA基板的原理示意图;
图6为本发明提供的COA基板制备方法的流程图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210287742.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类