[发明专利]硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压改进方法有效
| 申请号： | 201210287745.1 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103066103A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 陈祈铭;刘柏均;林宏达;张晋诚;喻中一;蔡嘉雄;黃和涌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 iii 氮化物 击穿 电压 改进 方法 | ||
1.一种电路结构，包括：
硅衬底；
成核层，未掺杂氮化铝，位于所述硅衬底上方；
缓冲层，包含镓、氮、硅和氧之一、和p型导电性掺杂剂，位于所述成核层上方；以及
块状层，未掺杂氮化镓，位于所述缓冲层上方。
2.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述缓冲层包括梯度缓冲层和非梯度缓冲层，所述梯度缓冲层进一步包含铝。
3.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述p型导电性掺杂剂包含碳、铁、镁、和锌中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的电路结构，其中，所述梯度缓冲层中的所述p型导电性掺杂剂是总浓度处于大约1E15/cm3和1E19/cm3之间的杂质。
5.根据权利要求3所述的电路结构，其中，所述非梯度缓冲层中的p型导电性掺杂剂和所述梯度缓冲层中的p型导电性掺杂剂的成分和/或浓度不同。
6.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述缓冲层的厚度为大约1微米至大约3微米。
7.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述非梯度缓冲层的厚度为大约0.5微米至大约3微米。
8.根据权利要求1所述的电路结构，还包括：有源层，位于所述块状层上方，所述有源层包括氮化铝层和氮化铝镓层。
9.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述氮化铝有源层为大约5埃至大约15埃，所述氮化铝镓有源层为大约100埃至大约350埃。
10.一种形成电路结构的方法，包括：
提供硅晶圆；
使用大约650摄氏度至大约950摄氏度的工艺温度在所述硅晶圆上方外延生长未掺杂氮化铝成核层；
在所述成核层上方外延生长梯度缓冲层，所述梯度缓冲层包含：铝、镓、氮、硅和氧之一以及p型导电性掺杂剂；
在所述梯度缓冲层上方外延生长非梯度缓冲层，所述非梯度缓冲层包含镓、氮、硅和氧之一、以及p型导电性掺杂剂，而不包含铝；以及
在所述非梯度缓冲层上方外延生长未掺杂氮化镓块状层。
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