[发明专利]超高亮度发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.超高亮度发光二极管，包括：

导电基板，其具有正、反两主表面；

反射层，位于所述基板的正表面之上；

P型GaP窗口层，位于所述反射层之上，其厚度小于或等于2um，用于扩展电流的同时避免光在传导过程中的散射损失；

发光外延层，位于所述P型GaP窗口层之上，其至下而上为p型限制层、发光层、n型限制层。

2.根据权利要求2所述的超高亮度发光二极管，其特征在于，还包括：n电极，形成于所述n型限制层之上；p电极，形成于所述导电基板的背面。

3.根据权利要求1所述的超高亮度发光二极管，其特征在于：所述p型GaP窗口层为C元素掺杂。

4.根据权利要求3所述的超高亮度发光二极管，其特征在于：所述C元素掺杂的p型GaP窗口层达到阻绝金属扩散效果。

5.根据权利要求3所述的超高亮度发光二极管，其特征在于：所述p型GaP窗口层的C元素掺杂浓度大于1×10¹⁸cm^-3。

6.超高亮度发光二极管的制备方法，包括步骤：

提供一生长衬底，在其上依次外延生长n型限制层、发光层和p型限制层，构成发光外延层；

在发光外延层上沉积一p型GaP窗口层，其厚度小于或等于2um，使得起到扩展电流作用的同时避免光在传导过程中的散射损失；

在p型GaP窗口层上形成反射层；

提供一导电基板，基板与反射层粘接；

移除所述生长衬底。

7.根据权利要求6所述的超高亮度发光二极管的制备方法，其特征在于：还包括分别在n型限制层和基板背面上制作n、p电极。

8.根据权利要求6所述的超高亮度发光二极管的制备方法，其特征在于：所述p型GaP窗口层为C元素掺杂，其掺杂浓度大于1×10¹⁸cm^-3。

9.根据权利要求8所述的超高亮度发光二极管的制备方法，其特征在于：在p型GaP窗口层外延生长过程通过输入含C元素的物质引入C杂质。

10.根据权利要求8所述的超高亮度发光二极管的制备方法，其特征在于：在高浓度C掺杂的生长环境下，低温外延生长获得结构性高浓度C掺杂GaP窗口层。