[发明专利]一种CDMOS工艺以及制作方法有效
| 申请号： | 201210288958.6 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103594491A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李天贺;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/06;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cdmos 工艺 以及 制作方法 | ||
1.一种CDMOS工艺平台，包括：N型衬底和N型外延、P型隔离阱、P隔离环、VDMOS体区、N型源漏及引线区、P型源漏及引线区、栅极氧化层、多晶硅栅极、场隔离氧化层、N型或P型场隔离和增强型NMOS管，其特征在于，所述CDMOS工艺还包括：N型隔离阱和PMOS器件，其中：
PMOS器件处于N型隔离阱中，所述N型隔离阱处于P型隔离阱内。
2.如权利要求1所述的工艺平台，其特征在于，所述N型隔离阱的深度值低于P型隔离阱的深度值，且所述N型隔离阱在P型隔离阱中的位置是悬空的。
3.一种CDMOS工艺的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在P型隔离阱区域内光刻出N型隔离阱区域；
向所述N型隔离阱区域内注入杂质离子，并将生成的N型隔离阱与该P型隔离阱一起推进至设定的深度；
对所述P型隔离阱和N型隔离阱做隔离氧化处理后，将增强型NMOS器件加入至P型隔离阱且该增强型NMOS器件不在所述N型隔离阱内，以及将PMOS器件加入至该N型隔离阱内。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，向所述N型隔离阱区域内注入杂质离子，具体包括：
利用预设的注入能量，向所述N型隔离阱区域内注入杂质离子。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设的注入能量的范围值在200kev~240kev。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预设的注入能量的值为220kev。
7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述向N型隔离阱区域注入的杂质离子的数量越多，所述PMOS器件的开启电压越高。
8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，将生成的N型隔离阱与该P型隔离阱一起推进至设定的深度，具体包括：
利用预设的推进温度和时间，将该N型隔离阱与该P型隔离阱一起推进至设定的深度，在注入能量的控制下使得所述N型隔离阱的深度值低于P型隔离阱的深度值，且所述N型隔离阱在P型隔离阱中悬空。
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