[发明专利]LDMOS晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内具有漂移区、与漂移区相邻的阱区；

位于所述阱区内的源区；

位于所述漂移区内的漏区；

位于所述漂移区内的隔离结构，所述隔离结构位于所述漏区和所述源区之间，所述隔离结构的下表面沿所述LDMOS的沟道方向的宽度大于上表面沿所述LDMOS的沟道方向的宽度；

位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述阱区和部分所述隔离结构。

2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述漂移区的掺杂类型与所述半导体衬底的掺杂类型相反。

3.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述阱区的掺杂类型与所述半导体衬底的掺杂类型相同。

4.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述隔离结构的与所述源区相对的侧边与所述隔离结构的下表面的夹角在50°~80°的范围内。

5.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述隔离结构的与所述漏区相对的侧边与所述隔离结构的下表面的夹角在50°~80°的范围内。

6.根据权利要求4所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述隔离结构的与所述漏区相对的侧边与所述隔离结构的下表面的夹角在50°~80°的范围内。

7.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、位于栅介质层上的栅电极和位于栅电极两侧的侧墙。

8.一种LDMOS晶体管的形成方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成介质层；

刻蚀所述介质层，形成隔离结构以及相邻隔离结构之间的开口，所述开口暴露出所述半导体衬底，所述隔离结构的下表面沿所述待形成LDMOS的沟道方向的宽度大于上表面沿所述待形成LDMOS的沟道方向的宽度；

在所述开口内填充满外延层，所述外延层厚度与所述隔离结构厚度相同，所述外延层材料与所述半导体衬底材料相同；

在所述外延层内形成漂移区和与漂移区相邻的阱区，所述漂移区覆盖所述隔离结构，所述漂移区覆盖部分所述半导体衬底，所述阱区覆盖部分所述半导体衬底；

在所述外延层表面形成栅极结构；

在所述栅极结构两侧的外延层内形成源区和漏区。

9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底材料为Si、锗硅或者绝缘体上硅。

10.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述介质层材料为SiO₂或者Si₃N₄。

11.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述隔离结构通过干法刻蚀工艺形成。

12.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的与所述源区相对的侧边与所述隔离结构的下表面的夹角在50°~80°的范围内。

13.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的与所述漏区相对的侧边与所述隔离结构的下表面的夹角在50°~80°的范围内。

14.根据权利要求12所述的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的与所述漏区相对的侧边与所述隔离结构的下表面的夹角在50°~80°的范围内。

15.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述外延层通过化学气相淀积的工艺形成。

16.根据权利要求15所述的形成方法，其特征在于，在所述化学气相淀积工艺后，还包括化学机械抛光的步骤。

17.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、位于栅介质层上的栅电极和位于栅电极两侧的侧墙，所述栅极结构覆盖部分所述阱区和部分所述隔离结构。