[发明专利]具有动态错误侦测及更正的存储器有效

专利信息
申请号: 201210289516.3 申请日: 2012-08-14
公开(公告)号: CN103593252A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 黄世昌;陈汉松 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 动态 错误 侦测 更正 存储器
【说明书】:

技术领域

发明是关于包含错误更正码逻辑的存储装置及系统。

背景技术

使用于集成电路存储器的存储器技术朝向使用越来越小的技术节点来开发,而且在单一集成电路芯片中具有越来越大容量的存储阵列。当存储单元的技术演进时,感测数据的边界就变得很紧。此外,存储单元在因为存储单元本身和相邻存储单元高速和大量存取所导致的存储单元状态干扰情况下的数据保存能力也会由于此较紧的边界而受到限制。

为了解决这些因为存储单元尺寸和密度演进产生的较紧的边界及存储单元干扰所导致的问题,业界已普遍采用嵌入于集成电路存储器中的错误更正码。汉明码是一种熟知的错误更正码型态,可以用于提供单一位错误更正及受保护数据的双位错误侦测之用。在某些存储器技术中单一位侦测或许是不够的。在此情况下,可以使用例如BCH码的多重位错误更正码技术。然而,使用BCH码会消耗大量的硬件资源,而且其错误更正能力仍是有限的。

因此,希望提供一种改良的错误更正码技术,其可以减少此技术在集成电路中所消耗的硬件资源同时又能增加其错误更正的表现。

发明内容

此处所描述的技术是提供一种改良的错误更正码技术,其使用一错误更正表格而可以嵌入于一集成电路存储装置中。此错误更正表格包含当进行一数据读取操作时所侦测并更新的错误而产生的项目。于后续读取时,此表格中的项目通过在数据输入到错误更正码逻辑之前将自此阵列输出的数据与更正位整合而不需要插入写入或更新操作,错误更正码逻辑是用来将对应的数据加上错误更正码以产生错误检查数据。

此错误更正表格可以被称为一″动态″地错误更正表格,因为其用来暂时地更正由错误更正码(ECC)保护的数据中的错误,此错误更正码(ECC)或许会在此数据的写入或更新间发生。此外,此表格是″动态″的也因为于后续在数据写入或更新间的读取操作时会自动的更动。使用此错误更正表格,因为举例而言读取操作重复偏压所造成的″读取干扰″而导致存储单元状态的劣化的错误累积可以被纪录且更正。

本发明的其它目的和优点,会在下列实施方式以及权利要求范围的章节中搭配图式被描述。

附图说明

图1显示于一读取操作时结合存储系统与错误更正码(ECC)的简要方块示意图。

图2显示于一读取操作时结合存储系统与错误更正码(ECC)的简要方块示意图。

图3A显示根据已知技术在一系列的读取操作中,错误更正码(ECC)的上限是如何可以被超过的。

图3B显示于一编程操作后的多重读取中其所累积无法更正的错误的简要示意图。

图4A显示根据本发明的技术在一系列的读取操作中,防止超过错误更正码(ECC)的上限。

图4B显示于一编程操作后的多重读取中如何使用本发明的技术防止超过错误更正码(ECC)的上限的简要示意图。

图5显示一个使用上述的错误侦测表的集成电路的方块是意图。

图6显示使用一个内容可寻址存储器(CAM)储存的错误更正表格的组态示意图。

图7显示一个使用上述的错误侦测表的一替代集成电路的方块是意图。

图8是显示此处所描述的集成电路进行一个由控制逻辑执行的读取操作相关的流程图。

图9是显示此处所描述的集成电路进行一个由控制逻辑执行的写入或更新操作相关的流程图。

图10是显示此处所描述的集成电路产生此处所描述的错误更正表格中项目的流程图。

【主要元件符号说明】

20:存储器

21:错误更正码逻辑

22:缓冲器

100、101:集成电路

200:阵列

201:输入/输出缓冲器

202:控制输入/输出

203:命令译码器

204:X译码器

205:Y选择器

206:感测放大器

207:错误更正码层

208:表格(内容可寻址存储器)

210:控制器

具体实施方式

为进一步说明各实施例,本发明的实施例乃提供有图式图1到图10。这些图式乃为本发明揭露内容的一部分,其主要是用以说明实施例,并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容,本领域具有通常知识者应能理解其他可能的实施方式以及本发明的优点。

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