[发明专利]一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210290113.0 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102779853A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 林曦;陈帆;刘梅;季伟;徐向明;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 外延 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1. 一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管，包括：
在半导体衬底表面之上形成的锗硅外延层；
在所述锗硅外延层和所述半导体衬底内形成的具有第一种掺杂类型的源区；
在所述锗硅外延层和所述半导体衬底内形成的具有第二种掺杂类型的漏区；
其特征在于，
在所述锗硅外延层内介于所述源区与所述漏区之间形成的沟道区域；
在所述沟道区域之上形成的栅介质层；
在所述栅介质层之上形成的栅极导电层；
通过调节所述的栅极上的电压实现调控所述源区和漏区之间的隧穿载流子产生率。
2. 根据权利要求1所述的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管，其特征在于，所述的半导体衬底为硅或者为绝缘体上的硅。
3. 根据权利要求1所述的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管，其特征在于，所述的栅介质层为二氧化硅，或者为具有高介电常数值的绝缘材料。
4. 根据权利要求1所述的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管，其特征在于，所述的栅极导电层为掺杂的多晶硅，或者为金属导电材料。
5. 根据权利要求1所述的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管，其特征在于，所述的第一种掺杂类型为n型掺杂，所述的的第二种掺杂类型为p型掺杂。
6. 根据权利要求1所述的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管，其特征在于，所述的第一种掺杂类型为p型掺杂，所述的的第一种掺杂类型为n型掺杂。
7. 一种如权利要求1所述的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管的制造方法，包括；
在半导体衬底表面之上选择性生长锗硅外延层；
在所述锗硅外延层之上生长第一层绝缘薄膜；
在所述第一层绝缘薄膜之上生长第一层导电薄膜；
在所述第一层导电薄膜之上淀积一层光刻胶并掩膜、曝光、显影定义出隧穿晶体管的栅极位置；
刻蚀掉没有被光刻胶保护的所述第一层导电薄膜与所述第一层绝缘薄膜，剩余的所述第一层导电薄膜与所述第一层绝缘薄膜形成隧穿晶体管的栅极；
剥除光刻胶；
在所述锗硅外延层和所述半导体衬底内、所述栅极的一侧形成隧穿晶体管的源区；
在所述锗硅外延层和所述半导体衬底内、所述栅极的非源区侧形成隧穿晶体管的漏区。
8. 根据权利要求7所述的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管的制造方法，其特征在于，所述的半导体衬底为硅或者为绝缘体上的硅。
9. 根据权利要求7所述的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管的制造方法，其特征在于，所述的第一层绝缘薄膜为二氧化硅，或者为具有高介电常数值的绝缘材料。
10. 根据权利要求7所述的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管的制造方法，其特征在于，所述的第一层导电薄膜为掺杂的多晶硅，或者为金属导电材料。
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