[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO(氧化铟锡)玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前景。

柔性OLED器件产品是有机电致发光器件的发展趋势，但目前普遍存在寿命短的缺点，大大限制了OLED器件的进程。寿命短是由于有机材料的不稳定或OLED器件封装效果不好、与水蒸汽、氧气等气体发生反应引起的，因此，使OLED器件能够稳定工作达到足够的使用寿命是目前国内外研究的热点领域。

发明内容

基于此，有必要提供一种寿命较长、防水氧能力强的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基板、发光层、阴极、保护层、金属阻挡层、有机阻挡层、绝缘层及外层保护层；其中，

所述金属阻挡层的材料为Ag、Al、Au、Cu、Ni及Mg中的至少一种；

所述有机阻挡层的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂及环状脂肪族环氧树脂中的至少一种；

所述绝缘层的材料为WO₃、V₂O₅、MoO₃及In₂O₃中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述保护层的材料为CuPc、NPB、Alq3、SiO、MgF₂及ZnS中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述阴极包括两层介质层及设于所述两层介质层之间的金属层，所述金属层的材料为铝、银和金中的至少一种，所述介质层的材料为硫化锌或氧化铟锡。

在其中一个实施例中，所述外层保护层的材料为SiO。

在其中一个实施例中，所述金属阻挡层、有机阻挡层、绝缘层构成阻挡层，所述阻挡层的层数为三层。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在阳极基板上形成发光层；

在所述发光层上形成阴极；

在所述阴极上形成保护层；

采用真空蒸发的方法在所述保护层上形成金属阻挡层，其中，所述金属阻挡层的材料为Ag、Al、Au、Cu、Ni及Mg中的至少一种，真空度为8×10^-5Pa~3×10^-5Pa，蒸发速度为厚度为100nm~200nm；

采用先旋涂后曝光的方法在所述金属阻挡层上形成有机阻挡层，在惰性氛围下，先将聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂及环状脂肪族环氧树脂中的至少一种旋涂在所述碳化物层上，厚度为1μm~1.5μm，然后采用波长为200nm~400nm的紫外光进行固化，光强为10~15mW/cm²，曝光时间200s~300s；

采用真空蒸发的方法在所述有机阻挡层上形成绝缘层，所述绝缘层的材料为WO₃、V₂O₅、MoO₃及In₂O₃中的至少一种，真空度为8×10^-5Pa~3×10^-5Pa，蒸发速度为厚度为50nm~100nm；及

在所述绝缘层上形成外部保护层。

在其中一个实施例中，采用真空蒸发的方法形成所述保护层，其中所述保护层的材料为CuPc、NPB、Alq3、SiO、MgF₂及ZnS中的至少一种，真空度为8×10^-5Pa~3×10^-5Pa，蒸发速度为厚度为200nm~300nm。

在其中一个实施例中，采用真空蒸发的方法形成所述外层保护层，所述外层保护层的材料为SiO，真空度为8×10^-5Pa~3×10^-5Pa，蒸发速度为厚度为100nm~150nm。