[发明专利]增进沟道阈值电压稳定性的方法有效

专利信息
申请号: 201210290691.4 申请日: 2012-08-15
公开(公告)号: CN103594339A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 吴智华;胡巍强 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H01L21/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 增进 沟道 阈值 电压 稳定性 方法
【权利要求书】:

1.一种增进沟道阈值电压稳定性的方法,包括:

提供基底,所述基底具有N阱区、P阱区和浅槽隔离,所述浅槽隔离用于隔离所述N阱区和所述P阱区,所述N阱区和所述P阱区表面自下至上具有氧化物层和氮化物层;

去除所述氮化物层,以露出所述氧化物层,露出的所述氧化物层形成剩余氧化物层;

对所述剩余氧化物层进行氧化处理,以形成补偿氧化层。

2.如权利要求1所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,采用化学气相沉积工艺对所述剩余氧化物层进行氧化处理。

3.如权利要求2所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,所述化学气相沉积工艺的气体为臭氧。

4.如权利要求2所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,所述补偿氧化层的平均厚度为

5.如权利要求1-4中任意一项所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,所述剩余氧化物层的厚度具有非均匀性。

6.如权利要求1-4中任意一项所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,所述剩余氧化物层的平均厚度为

7.如权利要求1-4中任意一项中任意一项所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,采用磷酸去除所述氮化物层。

8.一种增进沟道阈值电压稳定性的方法,包括:

提供基底,所述基底具有N阱区、P阱区和浅槽隔离,所述浅槽隔离用于隔离所述N阱区和所述P阱区,所述N阱区和所述P阱区表面自下至上具有氧化物层和氮化物层;

去除所述氮化物层,以露出所述氧化物层,露出的所述氧化物层形成剩余氧化物层;

对所述剩余氧化物层进行回刻,以形成薄剩余氧化物层;

对所述薄剩余氧化物层进行氧化处理,以形成补偿氧化层。

9.如权利要求8所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,采用湿法刻蚀工艺对所述剩余氧化物层进行回刻。

10.如权利要求9所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液为氢氟酸。

11.如权利要求8所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,对所述剩余氧化物层进行回刻后,所述薄剩余氧化物层的平均厚度为

12.如权利要求8-11中任意一项所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,采用化学气相沉积工艺对所述剩余氧化物层进行氧化处理。

13.如权利要求12所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,所述化学气相沉积工艺的气体为臭氧。

14.如权利要求12所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,所述补偿氧化层的平均厚度为

15.如权利要求8-11中任意一项所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,所述剩余氧化物层的厚度具有非均匀性。

16.如权利要求8-11中任意一项所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,所述剩余氧化物层的平均厚度为

17.如权利要求8-11中任意一项中任意一项所述的增进沟道阈值电压稳定性的方法,其特征在于,采用磷酸去除所述氮化物层。

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