[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210292591.5 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103594338B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张彬;鲍宇;邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，且所述栅极结构两侧形成有紧靠所述栅极结构的偏移间隙壁结构；
在所述栅极结构之间的半导体衬底中形成∑状凹槽；
在所述∑状凹槽中形成第一锗硅层；
去除所述第一锗硅层的中间部分以形成凹槽；
在所述凹槽中形成第二锗硅层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述偏移间隙壁结构所构成的工艺窗口，采用先干法蚀刻再湿法蚀刻的工艺形成所述∑状凹槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法蚀刻工艺形成所述凹槽。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用外延生长工艺形成所述第一锗硅层和所述第二锗硅层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二锗硅层中的锗含量高于所述第一锗硅层中的锗含量。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二锗硅层中的锗含量高于30％。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第二锗硅层之后，还包括在所述第二锗硅层上形成一单晶硅层或者一具有低锗含量的锗硅层的步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一锗硅层的中间部分完全被去除的情况下，在形成所述第二锗硅层之前，还包括在所述凹槽的底部形成一第三锗硅层的步骤。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第三锗硅层的锗含量低于所述第二锗硅层的锗含量。
10.根据权利要求1所述的方法，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层。
11.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有采用权利要求1-10中的任一方法形成的嵌入式锗硅结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
