[发明专利]利用图形特征扫描的缺陷检测方法和半导体芯片制造方法无效
| 申请号： | 201210293398.3 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102789999A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 图形 特征 扫描 缺陷 检测 方法 半导体 芯片 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用图形特征扫描的缺陷检测方法，其特征在于包括：
第一步骤：根据半导体结构定义重复单元结构；
第二步骤：将由所述第一步骤定义好的重复单元结构的数据图形输入到缺陷检测程序；
第三步骤：将芯片上的所述半导体结构的物理重复结构输入到所述缺陷检测的程序；
第四步骤：在缺陷检测程序中将物理重复结构与数据图形进行图形特征的比对；
第五步骤：根据第四步骤比对的差异检测缺陷的位置。
2.根据权利要求1所述的利用图形特征扫描的缺陷检测方法，其特征在于，在所述第五步骤中，将所述物理重复结构与所述数据图形之间存在差异的位置确定为缺陷位置。
3.根据权利要求1或2所述的利用图形特征扫描的缺陷检测方法，其特征在于，在所述第一步骤中，根据存储器结构定义重复单元结构。
4.根据权利要求1或2所述的利用图形特征扫描的缺陷检测方法，其特征在于，在所述第一步骤中，定义最小重复单元。
5.根据权利要求1或2所述的利用图形特征扫描的缺陷检测方法，其特征在于，在所述第三步骤中，将芯片上的存储器的物理重复结构输入到缺陷检测程序。
6.根据权利要求1或2所述的利用图形特征扫描的缺陷检测方法，其特征在于，在所述第四步骤中，将存储器的物理重复结构与数据图形进行图形特征的比对。
7.一种采用了根据权利要求1至6之一所述的利用图形特征扫描的缺陷检测方法的半导体芯片制造方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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