[发明专利]利用图形特征扫描的缺陷检测方法和半导体芯片制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种利用图形特征扫描的缺陷检测方法，此外，本发明还涉及一种采用了该利用图形特征扫描的缺陷检测方法的半导体芯片制造方法。

背景技术

随着集成电路的技术不断地提升，单位面积芯片上的器件数量也越来越多，特别是诸如存储器区域之类的半导体区域是一个芯片上器件集成度最高的地方，因此器件结构上的细微变化都会导致最终电性能的失效。

为了能够在生产过程中及时的发现问题并采取相应的措施，目前在制造过程中都会配置一定数量的光学和电子的缺陷检测设备。而缺陷检测的工作原理是将芯片上的光学图像转换成为可由不同亮暗灰阶表示的数据图像，图1表示的就是将一个光学显微镜下得图像P1转换成为数据图像特征P2的过程，再通过相邻芯片上的数据比较来检测缺陷的位置,如图2表示的是在水平方向X1的相邻芯片的比较，图3表示的是在垂直方向X2的相邻芯片的比较。

但是，由于诸如存储器之类的规则重复器件在物理结构上都是重复的单元，如上图所示，A和B是两个完全相同的最小存储器重复单元，图上箭头指出的地方是存在缺陷的位置，但是在每个重复单元的相同位置都有缺陷的存在，用现有的检测方法是不能检测到芯片上存在的这种问题(即，“每个重复单元的相同位置都有相同缺陷存在”这一问题)。

因此，希望能够提供一种能够检测在诸如存储器之类的重复单元结构上相同位置的缺陷的高精度和灵活的缺陷检测方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够检测在诸如存储器之类的重复单元结构上相同位置的缺陷的高精度和灵活的缺陷检测方法。

根据本发明的第一方面，提供了一种利用图形特征扫描的缺陷检测方法，其包括：第一步骤：根据半导体结构定义重复单元结构；第二步骤：将由所述第一步骤定义好的重复单元结构的数据图形输入到缺陷检测程序；第三步骤：将芯片上的所述半导体结构的物理重复结构输入到所述缺陷检测的程序；第四步骤：在缺陷检测程序中将物理重复结构与数据图形进行图形特征的比对；第五步骤：根据第四步骤比对的差异检测缺陷的位置。

优选地，在上述利用图形特征扫描的缺陷检测方法中，在所述第五步骤中，将所述物理重复结构与所述数据图形之间存在差异的位置确定为缺陷位置。

优选地，在上述利用图形特征扫描的缺陷检测方法中，在所述第一步骤中，根据存储器结构定义重复单元结构。

优选地，在上述利用图形特征扫描的缺陷检测方法中，在所述第一步骤中，定义最小重复单元。

优选地，在上述利用图形特征扫描的缺陷检测方法中，在所述第三步骤中，将芯片上的存储器的物理重复结构输入到缺陷检测程序。

优选地，在上述利用图形特征扫描的缺陷检测方法中，在所述第四步骤中，将存储器的物理重复结构与数据图形进行图形特征的比对

根据本发明的第二方面，提供了一种采用了根据本发明的第一方面所述的利用图形特征扫描的缺陷检测方法的半导体芯片制造方法。

根据本发明，提供了一种能够检测在诸如存储器之类的重复单元结构上相同位置的缺陷的高精度和灵活的缺陷检测方法。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了电路光学图像转换成为数据灰阶图像的示意图。

图2示意性地示出了水平方向缺陷检测的示意图。

图3示意性地示出了垂直方向缺陷检测的示意图。

图4示意性地示出了重复单元的缺陷。

图5示意性地示出了根据本发明实施例的版图定义储器重复单元结构示意图。

图6示意性地示出了根据本发明实施例的利用图形特征扫描的缺陷检测方法的流程图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

本发明的发明人有利地发现，由于诸如存储器之类的规则重复半导体器件在物理结构上都是重复的单元，所以在缺陷检测时可以在芯片的存储器区域取得最小的具有周期性重复的结构，从而通过重复结构在水平或垂直方向进行数据的比对来发现缺陷的位置。