[发明专利]IC封装凸块的制造工艺

权利要求书

1.一种IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：

a、提供一硅片，其中所述硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在所述硅片上至少形成一双层凸块，所述双层凸块覆盖铝垫及硅片护层；

b、在硅片上还至少形成一保护层，在所述保护层上至少形成一导电层；

c、在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，所述光阻层完全覆盖保护层和导电层；

d、在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影；

e、在硅片表面沉积双层凸块；

f、移除硅片表面的光阻层；

g、采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。

2.根据权利要求1所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述双层凸块的沉积过程包括如下步骤：

第一，在硅片表面至少沉积一钯层，所述钯层至少覆盖导电层和保护层；

第二，在钯层表面至少沉积一第一金层，所述第一金层至少覆盖导电层、保护层以及钯层。

3.根据权利要求2所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述双层凸块的钯层和第一金层采用电镀方式进行沉积。

4.根据权利要求3所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述电镀过程中将电镀的阴极连接硅片表面。

5.根据权利要求1所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述保护层为钛钨层，所述钛钨层通过溅镀方式形成在硅片上。

6.根据权利要求5所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述导电层为第二金层，所述第二金层通过溅镀方式形成在钛钨层上。

7.根据权利要求1所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述光阻层采用高转速光阻涂布机在硅片表面形成。

8.根据权利要求1所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述硅片上需要形成双层凸块的地方通过曝光显影技术进行显现，所述光罩全部覆盖住双层凸块。

9.根据权利要求6所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述化学蚀刻过程包括如下步骤：

第一，利用化学蚀刻将不需要有钛钨的区域去除；

第二，利用化学蚀刻将多余的金区域去除。