[发明专利]IC封装凸块的制造工艺

说明书

技术领域

本发明涉及驱动IC封装领域，特别是涉及一种IC封装凸块的制造工艺。 

背景技术

目前业界在驱动IC封装上是使用纯金凸块，为节省成本也有业者推出铜、镍金等组合来取代金。在IC封装过程中，随着封装密度的提高，原本的传统封装形态已经难以满足键合工艺要求，为使其能达到工艺控制要求，我们开发出一些相应的封装技术，提高了产品的可靠性，其中金/钯凸块因其价格及金属本身相对于其他金属的稳定性，使其更具优势。 

金/钯凸块的制造一般采用电镀方法，将金属沉积后形成。但是，传统的制造过程难以保证凸块的可靠性，其寿命也不佳，不能满足客户的需求。 

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种IC封装凸块的制造工艺，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。 

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤： 

a、提供一硅片，其中所述硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在所述硅片上至少形成一双层凸块，所述双层凸块覆盖铝垫及硅片护层；

b、在硅片上还至少形成一保护层，在所述保护层上至少形成一导电层；

c、在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，所述光阻层完全覆盖保护层和导电层；

d、在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影；

e、在硅片表面沉积双层凸块；

f、移除硅片表面的光阻层；

g、采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。

在本发明一个较佳实施例中，所述双层凸块的沉积过程包括如下步骤： 

第一，在硅片表面至少沉积一钯层，所述钯层至少覆盖导电层和保护层；

第二，在钯层表面至少沉积一第一金层，所述第一金层至少覆盖导电层、保护层以及钯层。

在本发明一个较佳实施例中，所述双层凸块的钯层和第一金层采用电镀方式进行沉积。 

在本发明一个较佳实施例中，所述电镀过程中将电镀的阴极连接硅片表面。 

在本发明一个较佳实施例中，所述保护层为钛钨层，所述钛钨层通过溅镀方式形成在硅片上。 

在本发明一个较佳实施例中，所述导电层为第二金层，所述第二金层通过溅镀方式形成在钛钨层上。 

在本发明一个较佳实施例中，所述光阻层采用高转速光阻涂布机在硅片表面形成。 

在本发明一个较佳实施例中，所述硅片上需要形成双层凸块的地方通过曝光显影技术进行显现，所述光罩全部覆盖住双层凸块。 

在本发明一个较佳实施例中，所述化学蚀刻过程包括如下步骤： 

第一，利用化学蚀刻将不需要有钛钨的区域去除；

第二，利用化学蚀刻将多余的金区域去除。

本发明的有益效果是：本发明IC封装凸块的制造工艺流程简单，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。 

附图说明

图1是本发明驱动IC封装凸块一较佳实施例的结构示意图； 

图2是本发明驱动IC封装结构一较佳实施例的结构示意图；

图3是图7是本发明IC封装凸块的制造工艺的流程图；

附图中各部件的标记如下：1、第一金层，2、钯层，3、导电层，4、保护层，5、硅片护层，6、铝垫，7、封装凸块，8、硅片，9、封装基板，10、槽孔，11、光阻层，12、光罩。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。 

如图1所示为本发明相关的IC封装凸块，其包括：铝垫6、硅片护层5、保护层4、导电层3和双层凸块。 

所述铝垫6设置在硅片8上，所述铝垫6与硅片8表面设置有硅片护层5，所述双层凸块设置在铝垫6上，所述双层凸块包括第一金层1和钯层2，所述双层凸块与硅片护层5之间设置导电层3和保护层4。 

如图2所示为本发明的IC封装结构，其包括：硅片8、封装凸块7和封装基板9，所述封装凸块7设置在硅片8表面，所述封装基板9的下表面设置有槽孔10，所述封装凸块7配置于槽孔10内。 

如图3至图7所示为本发明的一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤：