[发明专利]层叠封装结构及其制作方法无效
申请号: | 201210293569.2 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN103594386A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 李泰求 | 申请(专利权)人: | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01L25/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 066000 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种层叠封装结构的制作方法,包括步骤:
提供一个连接基板,所述连接基板具有相对的第一表面及第二表面,所述连接基板内设有多个第一导电孔,每个第一导电孔均贯穿所述第一表面及第二表面,且每个第一导电孔的两端均印刷有锡膏;
在所述连接基板的第一表面一侧设置一个第一封装器件,在所述连接基板的第二表面一侧设置一个第二封装器件,从而构成一个堆叠结构,所述第一封装器件包括第一电路载板及构装在所述第一电路载板上的第一半导体芯片,所述第一电路载板具有暴露出的多个第一焊盘,所述多个第一焊盘与多个第一导电孔一一对应,且每个第一焊盘均靠近与其对应的第一导电孔一端的锡膏,所述第二封装器件包括第二电路载板及构装在所述第二电路载板上的第三半导体芯片,所述第二电路载板具有暴露出的多个第五焊盘,所述多个第五焊盘也与所述多个第一导电孔一一对应,且每个第五焊盘均靠近与其对应的第一导电孔的另一端的锡膏;以及
固化每个第一导电孔两端的锡膏,使得每个第一焊盘通过固化的锡膏焊接在与其对应的一个第一导电孔的一端,每个第五焊盘通过固化的锡膏焊接在与其对应的一个第一导电孔的另一端,从而使得第一封装器件和第二封装器件分别焊接在所述连接基板的相对两侧,形成一个层叠封装结构。
2.如权利要求1所述的层叠封装结构的制作方法,其特征在于,所述连接基板的形成方法包括步骤:
提供绝缘基材,所述绝缘基材具有所述第一表面及所述第二表面;
采用激光钻孔工艺在所述绝缘基材中形成多个第一通孔;
通过在每个第一通孔的孔壁沉积导电材料层的方式或者通过在每个第一通孔内填充导电膏的方式,将所述多个第一通孔制成所述多个第一导电孔;以及
采用印刷工艺在每个第一导电孔的两端印刷锡膏,从而获得所述连接基板。
3.如权利要求2所述的层叠封装结构的制作方法,其特征在于,当通过在每个第一通孔的孔壁沉积导电材料层的方式,将所述多个第一通孔制成所述多个第一导电孔时,在将所述多个第一通孔制成所述多个第一导电孔之后,在采用印刷工艺在每个第一导电孔的两端印刷锡膏之前,所述连接基板的形成方法还包括步骤:采用树脂填孔工艺在每个所述第一导电孔内填充塞孔树脂;以及采用电镀工艺在每个填充有塞孔树脂的第一导电孔的两端分别沉积形成第一导电帽;当采用印刷工艺在每个第一导电孔的两端印刷锡膏时,所述锡膏印刷于所述第一导电帽表面。
4.如权利要求3所述的层叠封装结构的制作方法,其特征在于,当通过在每个第一通孔的孔壁沉积导电材料层的方式,将所述多个第一通孔制成所述多个第一导电孔时,所述导电材料层还延伸于所述第一表面形成第一孔环部,所述导电材料层还延伸于所述第二表面形成第二孔环部,所述第一导电孔一端的第一导电帽沉积于所述塞孔树脂表面以及所述第一孔环部表面,所述第一导电孔另一端的所述第一导电帽沉积于所述塞孔树脂表面以及所述第二孔环部表面。
5.如权利要求2所述的层叠封装结构的制作方法,其特征在于,所述绝缘基材的材质为热固性树脂。
6.如权利要求1所述的层叠封装结构的制作方法,其特征在于,所述第一电路载板为双面电路板,所述第一封装器件的形成方法包括步骤:
提供一个双面覆铜基板,所述双面覆铜基板包括第一基底、上侧铜箔及下侧铜箔,所述第一基底具有上侧表面及下侧表面,所述上侧铜箔贴合于所述上侧表面,所述下侧铜箔贴于所述下侧表面;
在所述双面覆铜基板内形成多个第三导电孔;
将所述下侧铜箔经由选择性蚀刻制成第一导电图形,所述第一导电图形包括所述多个第一焊盘,所述多个第一焊盘与所述多个第三导电孔一一对应,将所述上侧铜箔经由选择性蚀刻制成第二导电图形,所述第二导电图形包括与多个第一焊盘一一对应的多个第三焊盘,每个第三焊盘通过一个第三导电孔与一个第一焊盘电性相连,从而形成所述第一电路载板;以及
通过打线结合技术、表面贴装技术或者覆晶封装技术将所述第一半导体芯片构装于所述第一电路载板上,形成所述第一封装器件。
7.如权利要求6所述的层叠封装结构的制作方法,其特征在于,在将所述第一半导体芯片构装于所述第一电路载板上之后,还在所述第一电路载板上形成覆盖所述第一半导体芯片的第一封装胶体,以保护第一半导体芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造