[发明专利]操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法无效

专利信息
申请号: 201210298165.2 申请日: 2012-08-21
公开(公告)号: CN102956263A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 张晚;金英培;金昌桢;李明宰;朴晟准;许智贤;李东洙;李昌范;李承烈 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56;G11C16/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 操作 包括 可变 电阻 器件 半导体器件 方法
【权利要求书】:

1.一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法,该方法包括:

第一操作,向可变电阻器件施加第一电压,以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值,

第二电阻值与第一电阻值不同;

第二操作,感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流;

第三操作,确定该第一电流是否落入与多电平数据的电平对应的测试范围之内;

第四操作,当该第一电流落入该测试范围之内时,基于感测的第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压;

第五操作,向该可变电阻器件施加该第二电压;以及

第六操作,重复向被施加该第二电压的可变电阻器件施加该第一电压。

2.如权利要求1所述的方法,其中该第二电阻值大于第一电阻值。

3.如权利要求1所述的方法,其中该第一电阻值是设置电阻,以及该第二电阻值是重置电阻。

4.如权利要求1所述的方法,其中该第二操作包括:

在感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流之前向可变电阻器件施加读电压,

读电压具有小于第一电压的幅度的幅度。

5.如权利要求1所述的方法,其中该第三操作包括:

当该第一电流大于该测试范围时,再次执行该第一至第三操作。

6.如权利要求5所述的方法,其中该第三操作包括:

当该第一电流小于该测试范围时,向该可变电阻器件施加第二电压以将该可变电阻器件从第二电阻值改变为第一电阻值,以及

再次依次执行该第一至第三操作。

7.如权利要求1所述的方法,其中该第四操作包括:比较该第一电流的偏移与第一电流的平均电平。

8.如权利要求7所述的方法,其中该第四操作包括以下至少一者:

如果该第一电流的感测的电平和该第一电流的平均电平之间的差大于偏移范围,则改变该第二电压;以及

如果该第一电流的感测的电平和该第一电流的平均电平之间的差小于该偏移范围,则保持第二电压。

9.如权利要求8所述的方法,其中该第四操作包括以下至少一者:

如果该第一电流的感测的电平小于该第一电流的平均电平,则将该第二电压改变为比第二电压大的第三电压,以及

如果该第一电流的感测的电平大于该第一电流的平均电平,则将该第二电压改变为比第二电压小的第四电压。

10.如权利要求8所述的方法,其中所述改变第二电压包括:改变第二电压的幅度和脉冲宽度中的至少一个。

11.如权利要求7所述的方法,其中该第四操作包括以下至少一者:

当该第一电流的感测的电平和该第一电流的平均电平之间的差大于偏移范围时,改变该第二电压;以及

当该第一电流的感测的电平和该第一电流的平均电平之间的差小于该偏移范围时,向控制器发送数据存储完成信号。

12.如权利要求1所述的方法,其中该第四操作包括:确定第二电压以使得第二电压的变化随着第一电流的偏移的增大而增大。

13.如权利要求1所述的方法,还包括:

第七操作,感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流。

14.一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法,该方法包括:

向该可变电阻器件施加第一电压,以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值,

第二电阻值与第一电阻值不同;

感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流;

基于该第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压;

向该可变电阻器件施加该第二电压;以及

向被施加该第二电压的可变电阻器件施加该第一电压。

15.如权利要求14所述的方法,还包括:

确定该第一电流是否落入与多电平数据的电平对应的测试范围之内。

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