[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：

a)提供一个衬底(100)，在所述衬底(100)上形成栅堆叠，并在所述衬底（100）之中形成源/漏区(110)；

b)刻蚀所述源/漏区(110)，以形成沟槽；

c)在刻蚀后的所述源/漏区(110)的表面上形成接触层(112)；

d)在所述沟槽内形成应力产生材料层（113）；

e)沉积层间介质层(300)，并形成与所述应力产生材料相接触的接触塞。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中：

所述沟槽包括孔状沟槽(111)或者多条线状沟槽(111(a))。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中：

通过自组装嵌段共聚物作为硬掩膜在所述源/漏区(110)之上形成多条线状图案层；

以所述图案层为掩膜刻蚀所述源/漏区(110)形成所述多条线状沟槽(111(a))。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中：

通过选择性原子层沉积的方法在所述沟槽内形成所述应力产生材料层。

5.根据权利要求1或4所述的制造方法，其中：

所述应力产生材料层包括在N型半导体衬底中采用的产生拉应力的导电材料或者在P型半导体衬底中采用的产生压应力的导电材料。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中：

所述拉应力产生材料包括Zr、Cr、Al中的一种或者任意组合。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其中：

所述压应力产生材料包括Ta、Zr中的一种或者任意组合。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述源/漏区(110)为提升的源/漏区。

9.根据权利要求3所述的制造方法，其中自组装嵌段共聚物的材料选自聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-b-PMMA)、聚环氧乙烷-嵌段-聚异戊二烯(PEO-b-PI)、聚环氧乙烷-嵌段-聚丁二烯(PEO-b-PBD)、聚环氧乙烷-嵌段-聚苯乙烯(PEO-b-PS)、聚环氧乙烷-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯(PEO-b-PMMA)、聚环氧乙烷-嵌段-聚乙基乙烯(PEO-b-PEE)、聚苯乙烯-嵌段-聚乙烯基吡啶(PS-b-PVP)、聚苯乙烯-嵌段-聚异戊二烯(PS-b-PI)、聚苯乙烯-嵌段-聚丁二烯(PS-b-PBD)、聚苯乙烯-嵌段-聚茂铁二甲基硅烷(PS-b-PFS)、聚丁二烯-嵌段-聚乙烯基吡啶(PBD-b-PVP)和聚异戊二烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯(PI-b-PMMA)之一或其组合。

10.一种半导体结构，该半导体结构包括衬底(100)、栅堆叠、源/漏区(110)、接触层(112)、层间介质层(300)以及接触塞，其中，所述栅堆叠形成于所述衬底(100)之上，所述源/漏区(110)形成于所述衬底(100)之中、位于所述栅堆叠两侧，所述接触层(112)位于所述源/漏区(110)的表面上，所述层间介质层(300)覆盖所述源/漏区(110)以及栅堆叠，其特征在于：

存在应力产生材料层（113），嵌于所述源/漏区(110)之中，且形成于所述接触层(112)之上；以及

所述接触塞嵌于所述层间介质层(300)内并与所述应力产生材料层电连接。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中：

所述应力产生材料层（310）嵌于所述源/漏区(110)中的沟槽内，所述沟槽包括孔状沟槽(111)或者多条线状沟槽(111(a))。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其中：

所述应力产生材料层包括在N型半导体衬底中采用的产生拉应力的导电材料或者在P型半导体衬底中采用的产生压应力的导电材料。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中：

所述拉应力产生材料包括Zr、Cr、Al中的一种或者任意组合。

14.根据权利要求12所述的半导体结构，其中：

所述压应力产生材料包括Ta、Zr中的一种或者任意组合。

15.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述源/漏区(110)为提升的源/漏区。