[发明专利]非易失性存储器系统及其擦除方法有效
申请号: | 201210304224.2 | 申请日: | 2012-08-23 |
公开(公告)号: | CN102855934A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 杨光军;顾靖;胡剑 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性存储器 系统 及其 擦除 方法 | ||
1.一种非易失性存储器系统,其特征在于,包括:
非易失性存储器阵列,所述非易失性存储器阵列具有若干行,每一行具有若干位存储子阵列,所述位存储子阵列为数据的擦除单位,所述位存储子阵列中具有若干共享字线的存储单元;
状态控制单元,用于接收地址和控制命令,对控制命令进行解析,输出相应的控制信号,对地址进行转换,输出行地址和列地址;
行译码单元,接收状态控制单元输出的行地址,对行地址进行译码,选择对应输入的行地址的字线;
列译码单元,接收状态控制单元输出的列地址,对列地址进行译码,选择对应输入的列地址的位线,通过位线将位存储子阵列中的数据读出或者将输入/输出缓存单元中的数据写入位存储子阵列中;
灵敏放大器单元,将列译码单元读出的数据进行放大,并将放大的数据输出到输入/输出缓存单元中;
输入/输出缓存单元,用于暂时存储放大的数据和需要写入位存储子阵列的数据,并在对目标位存储子阵列进行擦除操作之前,将目标位存储子阵列所在行的其他的位存储子阵列中读出的第一数据发送给检测单元,以及在对目标位存储子阵列进行擦除操作之后,将目标位存储子阵列所在行的其他的位存储子阵列中读出的第二数据发送给检测单元;
检测单元,比较相应的位存储子阵列的擦除前的第一数据和擦除后的第二数据是否相同,若不相同,则向状态控制单元输出对相应的位存储子阵列进行重新写入的命令。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器系统,其特征在于,所述检测单元包括:寄存器单元、比较单元、判断单元,其中,所述寄存器单元用于存储从输入/输出缓存单元发送的第一数据;所述比较单元用于接收输入/输出缓存单元发送的第二数据,并将第二数据与第一数据进行比较,输出比较信息给判断单元;所述判断单元根据接收的比较信息向状态控制单元输出对相应的位存储子阵列进行重新写入的命令。
3.如权利要求2所述的非易失性存储器系统,其特征在于,所述比较单元比较第一数据和第二数据是否相同,若第一数据和第二数据相同,则输出第一比较信息,若第一数据和第二数据不相同,则输出第二比较信息,第一比较信息和第二比较信息的位数等于位存储子阵列中存储单元的个数。
4.如权利要求3所述的非易失性存储器系统,其特征在于,所述比较单元为一个或多个并联的比较器,比较器构成的比较单元的位数等于位存储子阵列中存储单元的个数。
5.如权利要求3所述的非易失性存储器系统,其特征在于,所述对相应的位存储子阵列进行重新写入的命令为对相应位存储子阵列中所有的存储单元进行重新写入的命令或者对相应位存储子阵列中一个或多个存储单元进行重新写入的命令。
6.如权利要求5所述的非易失性存储器系统,其特征在于,所述判断单元接收第二比较信息,对第二比较信息进行处理,输出对相应位存储子阵列中所有的存储单元进行重新写入的命令。
7.如权利要求5所述的非易失性存储器系统,其特征在于,所述判断单元接收第二比较信息,对第二比较信息进行处理,判断相应的位存储子阵列中的数据错误的存储单元,输出对相应的数据错误的存储单元进行重新写入的命令。
8.如权利要求2所述的非易失性存储器系统,其特征在于,所述状态控制单元与寄存器单元相连接,状态控制单元将地址发送给寄存器单元,寄存器单元基于接收的地址存储相应的第一数据
9.如权利要求8所述的非易失性存储器系统,其特征在于,所述寄存器单元为先入先出寄存器,先入先出寄存器的宽度等于位存储子阵列中存储单元的个数,先入先出寄存器的深度为N-1,其中N为非易失性存储器阵列的每一行中位存储子阵列的数量。
10.如权利要求8所述的非易失性存储器系统,其特征在于,所述寄存器单元在存储和读出数据时,状态控制单元给寄存器单元相应的发出写入和读出命令。
11.如权利要求1所述的非易失性存储器系统,其特征在于,所述输入/输出缓存单元在写入和读出数据时,状态控制单元给输入/输出缓存单元相应的发出写入和读出命令。
12.如权利要求10或11所述的非易失性存储器系统,检测单元在比较第一数据和第二数据之前,状态控制单元分别向寄存器单元和输入/输出缓存单元发出读出命令。
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