[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一衬底；

一装置区；

一第一掺杂区，形成在邻近该装置区的该衬底中；以及

一栅结构，位于该第一掺杂区上，其中该第一掺杂区与该栅结构是互相重叠的。

2.一种半导体结构，包括：

一衬底；

一装置区；

一第一掺杂区，形成在该衬底中并邻近该装置区；以及

一栅结构，位于该第一掺杂区上，其中该第一掺杂区与该栅结构其中至少之一具有对称的形状。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中该装置区包括一第一装置区与一第二装置区，该第一掺杂区是用以隔离该第一装置区与该第二装置区。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中该第一掺杂区具有一对称的形状并位于该第一装置区的外缘。

5.根据权利要求1或2所述的半导体结构，更包括一栅极，其中该装置区包括一第一装置区与一第二装置区，该第一掺杂区是介于该第一装置区与该第二装置区，该栅极位于该第一装置区中。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中该栅极具有相对的一第一栅侧边与一第二栅侧边，该第一掺杂区与该第一栅侧边之间的一最小间距等于该第一掺杂区与该第二栅侧边之间的一最小间距，或者，该栅结构与该第一栅侧边之间的一最小间距等于该栅结构与该第二栅侧边之间的一最小间距。

7.根据权利要求1或2所述的半导体结构，更包括一第二掺杂区，其中该装置区包括一第一装置区与一第二装置区，该第一掺杂区是介于该第一装置区与该第二装置区，该第二掺杂区位于该第一装置区中的该衬底中，互相分开的该第一掺杂区与该第二掺杂区具有相同的导电型。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中该第二掺杂区具有相对的一第一掺杂侧边与一第二掺杂侧边，该第一掺杂区与该第一掺杂侧边之间的一最小间距等于该第一掺杂区与该第二掺杂侧边之间的一最小间距。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中该第二掺杂区具有相对的一第一掺杂侧边与一第二掺杂侧边，或者，该栅结构与该第一掺杂侧边之间的一最小间距等于该栅结构与该第二掺杂侧边之间的一最小间距。

10.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成一第一掺杂区于邻近一装置区的一衬底中；以及

形成一栅结构于该第一掺杂区上，其中该第一掺杂区与该栅结构是互相重叠的。