[发明专利]电源钳位ESD保护电路

权利要求书

1.一种电源钳位ESD保护电路，其特征在于，包括：

电源管脚，用于提供电源电压VDD；

接地管脚，用于提供地电平VSS；

电容-电阻电路，用于感应静电放电ESD脉冲，所述电容-电阻电路包括：阻抗元件和容抗元件，所述阻抗元件连接于所述接地管脚和节点A之间；所述容抗元件连接在节点A和节点B之间；

偏置电路，连接在所述节点B和电源管脚之间，用于为所述节点B提供偏置电压；

触发电路，连接于所述电源管脚、接地管脚和电容-电阻电路三者之间，用于根据所述节点A和节点B的电平产生静电放电的触发信号；其中，所述触发信号通过输出节点D输出；以及，

钳位电路，连接在所述电源管脚、接地管脚和触发电路三者之间，用于在接收到所述静电放电ESD触发信号后提供一个电源与地之间的低阻通道，以泄放静电电荷。

2.如权利要求1所述的电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述电容-电阻电路中的容抗元件通过PMOS电容实现，PMOS电容的栅极连接至所述节点A，源极、漏极和衬底均连接至所述节点B。

3.如权利要求1所述的电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述触发电路进一步包括：

第一PMOS晶体管Mp1，栅极连接至所述节点B，源极连接至所述电源管脚，漏极连接至节点C；

第一NMOS晶体管Mn1，栅极连接至所述节点A，源极连接至所述接地管脚，漏极和所述第一PMOS晶体管Mp1的漏极相连；

第二PMOS晶体管Mp2，栅极连接至所述节点C，源极连接至所述电源管脚，漏极连接至所述输出节点D；以及，

第二NMOS晶体管Mn2，栅极连接至所述节点C，源极连接至所述接地管脚，漏极和所述第二PMOS晶体管Mp2的漏极相连。

4.如权利要求1所述的电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述偏置电路进一步包括：

第三PMOS晶体管Mp3，栅极连接至所述节点C，源极连接至所述接地管脚，漏极连接至所述节点B；

其中，所述第三PMOS晶体管Mp3的漏极作为所述偏置电路的输出节点，为所述电容-电阻电路的所述节点B提供偏置电压。

5.如权利要求1~4中任一项所述的电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述钳位电路进一步包括：

N-沟道钳位晶体管Mbig，栅极连接至所述触发电路的输出节点D，源极连接至所述接地管脚，漏极连接至所述电源管脚。