[发明专利]一种WLCSP单芯片封装件及其塑封方法

权利要求书

1.一种WLCSP单芯片封装件，其特征在于：包括框架内引脚、框架内引脚上锡层、焊料、金属凸点、IC芯片、塑封体；框架内引脚上与金属凸点焊接区域镀有锡层，IC芯片的压区表面镀金属凸点，金属凸点与框架内引脚上锡层采用倒装芯片的方式用焊料焊接在一起，框架内引脚上是锡层、锡层上是焊料、焊料上是金属凸点、金属凸点上是IC芯片，对IC芯片起到了支撑和保护作用的塑封体包围了框架内引脚、锡层、焊料、金属凸点、IC芯片构成了电路的整体，IC芯片、金属凸点、焊料、锡层、框架内引脚构成了电路的电源和信号通道。

2.一种WLCSP单芯片封装件的封装方法，其特征在于：封装方法具体按照下面步骤进行；

第一步、晶圆减薄；

晶圆减薄的厚度为50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10mm～0.30mm；

第二步、镀金属凸点；

在整片晶圆上芯片压区金属Au或Cu表面镀2～50um金属凸点；

第三步、划片；

150μm以上的晶圆采用普通划片工艺；厚度在150μm以下的晶圆，采用双刀划片机及其工艺；

第四步、框架对应区域镀锡；

在框架内引脚上PAD对应区域镀上一层2～50um的锡层；

第五步、上芯；

把IC芯片倒过来，采用Flip-Chip的工艺，将IC芯片上的金属凸点焊在框架上；

第六步、回流焊；

采用SMT之后的回流焊工艺，经过融锡处理，把IC芯片压区上的焊线与框架内引脚焊接在一起；

第七步、塑封、后固化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规工艺相同；

第八步、锡化。

3.根据权利要求2所述的一种WLCSP单芯片封装件的封装方法，其特征在于：采用镍钯金框架不需要做锡化处理。