[发明专利]一种WLCSP单芯片封装件及其塑封方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种WLCSP单芯片封装件及其塑封方法，WLCSP单芯片封装件镀有Au或Cu金属凸点和锡层，属于集成电路封装技术领域。

背景技术

微电子技术的迅猛发展，集成电路复杂度的增加，一个电子系统的大部分功能都可能集成在一个单芯片内(即片上系统)，这就相应地要求微电子封装具有更高的性能、更多的引线、更密的内连线、更小的尺寸或更大的芯片腔、更大的热耗散功能、更好的电性能、更高的可靠性、更低的单个引线成本等。芯片封装工艺由逐个芯片封装向圆片级封装转变，晶圆片级芯片封装技术——WLCSP正好满足了这些要求，形成了引人注目的WLCSP工艺。

晶圆片级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，简称WLCSP)，即晶圆级芯片封装方式，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20％的体积)，此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。WLCSP的封装方式，不仅明显地缩小产品尺寸，而符合行动装置对于机体空间的高密度需求；另一方面在效能的表现上，更提升了数据传输的速度与稳定性。传统的WLCSP工艺中，采用溅射、光刻、电镀技术或丝网印刷在晶圆上进行电路的刻印。以下流程是对已经完成前道工艺的晶圆进行WLCSP封装的操作步骤：

(1)隔离层流程(Isolation Layer)

(2)接触孔流程(Contact Hole)

(3)焊盘下金属层流程(UBM Layer)

(4)为电镀作准备的光刻流程(Photolithography for Plating)

(5)电镀流程(Plating)

(6)阻挡层去除流程(Resist Romoval)

传统WLCSP制作过程复杂，对电镀和光刻的精确度要求极高，且成本较高。

发明内容

本发明是针对上述现有WLCSP工艺缺陷，提出一种WLCSP单芯片封装件及其塑封方法，WLCSP单芯片封装件镀有Au或Cu金属凸点和锡层，采用不同于以往的化学镀金属凸点、溅射、光刻、电镀或丝网印刷工艺的压焊的方式在芯片压区金属Al或Cu表面生成金属凸点，同时，利用焊料将芯片各凸点与框架管脚焊接，压焊时，不用打线，直接完成了芯片与管脚间的导通、互连，本单芯片封装件具有低成本、高效率的特点。

本发明采用的技术方案：一种WLCSP单芯片封装件，镀有Au或Cu金属凸点4和锡层2，包括框架内引脚1、框架内引脚上锡层2、焊料3、金属凸点4、IC芯片5、塑封体6；框架内引脚1上与金属凸点焊接区域镀有锡层2，IC芯片5的压区表面镀金属凸点4，金属凸点4与框架内引脚上锡层2采用倒装芯片的方式用焊料3焊接在一起，框架内引脚1上是锡层2、锡层2上是焊料3、焊料3上是金属凸点4、金属凸点4上是IC芯片5，对IC芯片5起到了支撑和保护作用的塑封体6包围了框架内引脚1、锡层2、焊料3、金属凸点4、IC芯片5构成了电路的整体，IC芯片5、金属凸点4、焊料3、锡层2、框架内引脚1构成了电路的电源和信号通道。

一种WLCSP单芯片封装件的封装方法：晶圆减薄→压焊植金属凸点→划片→框架对应区域镀锡层→上芯→回流焊→塑封→后固化→锡化→打印→产品分离→检验→包装→入库。

第一步、晶圆减薄；

晶圆减薄的厚度为50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10mm～0.30mm；

第二步、镀金属凸点；

在整片晶圆上芯片压区金属Au或Cu表面镀2～50um金属凸点4；

第三步、划片；

150μm以上的晶圆采用普通划片工艺；厚度在150μm以下的晶圆，采用双刀划片机及其工艺；

第四步、框架对应区域镀锡；

在框架内引脚1上PAD对应区域镀上一层2～50um的锡层2；

第五步、上芯；

把IC芯片5倒过来，采用Flip-Chip的工艺，将IC芯片5上的金属凸点4焊在框架上；

第六步、回流焊；

采用SMT之后的回流焊工艺，经过融锡处理，把IC芯片5压区上的焊线与框架内引脚1焊接在一起；

第七步、塑封、后固化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规工艺相同；

第八步、锡化。

所述的框架采用镍钯金框架则不需要进行锡化处理。

本发明的有益效果：