[发明专利]掩膜板、采用掩膜板制作阵列基板的方法、阵列基板

权利要求书

1.一种掩膜板，应用于拼接曝光制作阵列基板，其特征在于，所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1个掩膜图形，n为任一自然数，每个掩膜图形包括有对应阵列基板的数据信号线的遮光图案，其中，相邻掩膜图形之间的所述遮光图案为断续的，位于掩膜板中间的掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜图形、第二掩膜图形和第三掩膜图形，所述第二掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的。

3.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括依次排布、相互平行的2m个与掩膜图形对应的图形区域，m为任一自然数，相邻图形区域之间存在拼接区域；所述阵列基板中间两图形区域之间的拼接区域中，所述阵列基板的数据信号线为断开的。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括依次排布的第一图形区域、第二图形区域、第三图形区域和第四区域，在所述第二图形区域和第三图形区域之间的拼接区域中，所述阵列基板的数据信号线为断开的。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由掩膜板拼接曝光形成，所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1个掩膜图形，n为任一自然数，每个掩膜图形包括有对应阵列基板的数据信号线的遮光图案，其中，相邻掩膜图形之间的所述遮光图案为断续的，位于掩膜板中间的掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜图形、第二掩膜图形和第三掩膜图形，所述第二掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的。

7.一种采用掩膜板制作阵列基板的方法，其特征在于，所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1个掩膜图形，n为任一自然数，每个掩膜图形包括有对应阵列基板的数据信号线的遮光图案，其中，相邻掩膜图形之间的所述遮光图案为断续的，位于掩膜板中间的掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的，所述制作阵列基板的方法包括：

利用前n个掩膜图形依次完成n次曝光，得到阵列基板的n个第一图形区域，每个第一图形区域的遮光图案与相邻的第一图形区域的遮光图案存在重叠；

利用第n+1个掩膜图形进行曝光，得到阵列基板的第二图形区域，所述第二图形区域的遮光图案与相邻的第一图形区域的遮光图案存在重叠；

再次利用第n+1个掩膜图形进行曝光，得到阵列基板的第三图形区域，所述第三图形区域的遮光图案与所述第二图形区域的遮光图案不存在重叠；

利用第n+2个到第2n+1个掩膜图形依次完成n次曝光，得到阵列基板的n个第四图形区域，所述第三图形区域的遮光图案与相邻的第四图形区域的遮光图案存在重叠。

8.根据权利要求7所述的采用掩膜板制作阵列基板的方法，其特征在于，所述制作阵列基板的方法具体包括：

步骤a：遮挡住其他2n个掩膜图形，利用第一个掩膜图形进行曝光；

步骤b：移动掩膜板，遮挡住其他2n个掩膜图形，利用下一个掩膜图形进行曝光；

步骤c：重复上述步骤b，直至利用前n个掩膜图形依次完成n次曝光，得到阵列基板的n个第一图形区域，每个第一图形区域的遮光图案与相邻的第一图形区域的遮光图案存在重叠；

步骤d：移动掩膜板，遮挡住其他2n个掩膜图形，利用第n+1个掩膜图形进行曝光，得到阵列基板的第二图形区域，所述第二图形区域的遮光图案与相邻的第一图形区域的遮光图案存在重叠；

步骤e：移动掩膜板，遮挡住其他2n个掩膜图形，再次利用第n+1个掩膜图形进行曝光，得到阵列基板的第三图形区域，所述第三图形区域的遮光图案与所述第二图形区域的遮光图案不存在重叠；

步骤f：移动掩膜板，遮挡住其他2n个掩膜图形，利用第n+2个掩膜图形进行曝光；

步骤g：移动掩膜板，遮挡住其他2n个掩膜图形，利用下一个掩膜图形进行曝光；

步骤h：重复上述步骤g，直至利用第n+2个到第2n+1个掩膜图形依次完成n次曝光，得到阵列基板的n个第四图形区域，所述第三图形区域的遮光图案与相邻的第四图形区域的遮光图案存在重叠。

9.根据权利要求8所述的采用掩膜板制作阵列基板的方法，其特征在于，所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜图形、第二掩膜图形和第三掩膜图形组成，所述第二掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的，所述制作阵列基板的方法包括：

第一次曝光工艺，遮挡住第二掩膜图形和第三掩膜图形，利用第一掩膜图形进行曝光，得到阵列基板的第一图形区域；

第二次曝光工艺，移动掩膜板，遮挡住第一掩膜图形和第三掩膜图形，利用第二掩膜图形进行曝光，得到阵列基板的第二图形区域，所述第二图形区域的遮光图案与所述第一图形区域的遮光图案存在部分重叠；

第三次曝光工艺，移动掩膜板，遮挡住第一掩膜图形和第三掩膜图形，利用第二掩膜图形进行曝光，得到阵列基板的第三图形区域，所述第二图形区域的遮光图案与所述第三图形区域的遮光图案不存在重叠；

第四次曝光工艺，移动掩膜板，遮挡住第一掩膜图形和第二掩膜图形，利用第三掩膜图形进行曝光，得到阵列基板的第四图形区域，所述第三图形区域的遮光图案与所述第四图形区域的遮光图案存在部分重叠。