[发明专利]掩膜板、采用掩膜板制作阵列基板的方法、阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是指一种掩膜板、采用掩膜板制作阵列基板的方法、阵列基板。

背景技术

在通常的液晶显示面板阵列设计中，阵列图形是完全被包含在一张掩模板内的。在曝光过程中，一次曝光就能形成一个完整的阵列图形，并且所形成的阵列图形与掩膜板中的图形一致。

在采用现有技术中的掩膜板制作阵列基板时，阵列基板的数据信号线是相连的，这样采用该阵列基板的液晶显示面板一次只能输入一个数据信号，导致在像素充电时间一定的条件下，液晶显示面板的图像扫描帧速比较低；或者在液晶显示面板的图像扫描帧速一定的条件下像素充电时间比较短。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种掩膜板、采用掩膜板制作阵列基板的方法及阵列基板，能够在像素充电时间一定的条件下，提高液晶显示面板的图像扫描帧速；或者在液晶显示面板的图像扫描帧速一定的条件下，增大像素充电时间。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种掩膜板，应用于拼接曝光制作阵列基板，其特征在于，所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1个掩膜图形，n为任一自然数，每个掩膜图形包括有对应阵列基板的数据信号线的遮光图案，其中，相邻掩膜图形之间的所述遮光图案为断续的，位于掩膜板中间的掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的。

进一步地，所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜图形、第二掩膜图形和第三掩膜图形，所述第二掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的。

本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括依次排布、相互平行的2m个与掩膜图形对应的图形区域，m为任一自然数，相邻图形区域之间存在拼接区域；所述阵列基板中间两图形区域之间的拼接区域中，所述阵列基板的数据信号线为断开的。

进一步地，所述阵列基板包括依次排布的第一图形区域、第二图形区域、第三图形区域和第四区域，在所述第二图形区域和第三图形区域之间的拼接区域中，所述阵列基板的数据信号线为断开的。

进一步地，所述阵列基板由掩膜板拼接曝光形成，所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1个掩膜图形，n为任一自然数，每个掩膜图形包括有对应阵列基板的数据信号线的遮光图案，其中，相邻掩膜图形之间的所述遮光图案为断续的，位于掩膜板中间的掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的。

进一步地，所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜图形、第二掩膜图形和第三掩膜图形，所述第二掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的。

本发明实施例还提供了一种采用掩膜板制作阵列基板的方法，

所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1个掩膜图形，n为任一自然数，每个掩膜图形包括有对应阵列基板的数据信号线的遮光图案，其中，相邻掩膜图形之间的所述遮光图案为断续的，位于掩膜板中间的掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的，所述制作阵列基板的方法包括：

利用前n个掩膜图形依次完成n次曝光，得到阵列基板的n个第一图形区域，每个第一图形区域的遮光图案与相邻的第一图形区域的遮光图案存在重叠；

利用第n+1个掩膜图形进行曝光，得到阵列基板的第二图形区域，所述第二图形区域的遮光图案与相邻的第一图形区域的遮光图案存在重叠；

再次利用第n+1个掩膜图形进行曝光，得到阵列基板的第三图形区域，所述第三图形区域的遮光图案与所述第二图形区域的遮光图案不存在重叠；

利用第n+2个到第2n+1个掩膜图形依次完成n次曝光，得到阵列基板的n个第四图形区域，所述第三图形区域的遮光图案与相邻的第四图形区域的遮光图案存在重叠。

进一步地，所述制作阵列基板的方法具体包括：

步骤a：遮挡住其他2n个掩膜图形，利用第一个掩膜图形进行曝光；

步骤b：移动掩膜板，遮挡住其他2n个掩膜图形，利用下一个掩膜图形进行曝光；

步骤c：重复上述步骤b，直至利用前n个掩膜图形依次完成n次曝光，得到阵列基板的n个第一图形区域，每个第一图形区域的遮光图案与相邻的第一图形区域的遮光图案存在重叠；

步骤d：移动掩膜板，遮挡住其他2n个掩膜图形，利用第n+1个掩膜图形进行曝光，得到阵列基板的第二图形区域，所述第二图形区域的遮光图案与相邻的第一图形区域的遮光图案存在重叠；

步骤e：移动掩膜板，遮挡住其他2n个掩膜图形，再次利用第n+1个掩膜图形进行曝光，得到阵列基板的第三图形区域，所述第三图形区域的遮光图案与所述第二图形区域的遮光图案不存在重叠；