[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

漏极电极；

第1导电类型的漏极层，与所述漏极电极电连接；

周期构造层，设置于所述漏极层上，具有相对所述漏极层的表面在垂直方向上延伸并且在与所述漏极层的表面平行的第1方向上交替配置的第1导电类型的第1半导体层以及第2导电类型的第2半导体层；

第1导电类型的第3半导体层，设置于所述漏极层上，与位于所述周期构造层的终端的第1半导体层邻接并且相对所述漏极层的表面在垂直方向上延伸；

第1导电类型的漂移层，形成于所述第1半导体层上；

第2导电类型的基极层，形成于所述第2半导体层上；

第1导电类型的源极层，形成于所述基极层上；

栅极电极，在所述基极层上隔着栅极绝缘层形成；以及

源极电极，与所述源极层电连接，

所述第1半导体层具有多个第1扩散层，该多个第1扩散层以固定的第1高度在所述垂直方向上排列，

由所述第1半导体层夹着的第2半导体层具有多个第2扩散层，该多个第2扩散层以所述第1高度在所述垂直方向上排列，

所述第3半导体层具有多个第3扩散层，该多个第3扩散层以所述第1高度在所述垂直方向上排列，

一个所述第1半导体层中的多个所述第1扩散层在所述第1方向的宽度相互相同，

一个所述第1半导体层中的多个所述第1扩散层内的杂质量随着从所述第1半导体层的下端向上端而逐渐变大，

一个所述第2半导体层中的多个所述第2扩散层在所述第1方向的宽度相互相同，

一个所述第2半导体层中的多个所述第2扩散层内的杂质量相互相同、或者、以与多个所述第1扩散层内的杂质量的变化不同的方式随着从所述第2半导体层的下端向上端而变化，

一个所述第3半导体层中的多个所述第3扩散层在所述第1方向的宽度比处于同一层的所述第1扩散层在所述第1方向的宽度以及所述第2扩散层在所述第1方向的宽度窄、并且随着从所述第3半导体层的下端向上端而逐渐变窄，

一个所述第3半导体层中的多个所述第3扩散层内的杂质量相互相同。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

与所述第3半导体层邻接的第2半导体层具有多个第4扩散层，该多个第4扩散层以所述第1高度在所述垂直方向上排列，

一个所述第2半导体层中的多个所述第4扩散层在所述第1方向的宽度随着从所述第2半导体层的下端向上端而逐渐变窄，

一个所述第2半导体层中的多个所述第4扩散层内的杂质量随着从所述第2半导体层的下端向上端而逐渐变小。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

位于所述第3半导体层的最下端的所述第3扩散层在所述第1方向的宽度是所述第1扩散层在所述第1方向的宽度的1/2。