[发明专利]氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法有效
| 申请号： | 201210312690.5 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102820241A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 张博 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 介质 层经时 绝缘 击穿 可靠性 测试 方法 | ||
1.一种氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法，其特征在于包括：
在多个测试期期间，对测试结构施加应力加速电压，并且测试氧化物介质的漏电流监测值；以及
在多个注入期期间，不对测试结构施加应力加速电压，而是向待测试的氧化物介质层注入应力加速电流；
其中，所述多个测试期与多个注入期相互交错。
2.根据权利要求1所述的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法，其特征在于，在所述多个测试期期间对测试结构施加的应力加速电压在各自的测试期内保持恒定，并且之前的测试期期间对测试结构施加的加速电压小于后续的测试期期间对测试结构施加的加速电压。
3.根据权利要求2所述的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法，其特征在于，在所述多个测试期期间对测试结构施加的加速电压恒定且相等。
4.根据权利要求1至3之一所述的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法，其特征在于，所述氧化物介质层是SiO2介质层或其他遂穿介质，如Al2O3等。
5.根据权利要求1至3之一所述的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法，其特征在于，所述氧化物介质层用作MOS晶体管的栅极氧化物介质层。
6.根据权利要求1至3之一所述的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法，其特征在于，所有测试期的时间周期的时长相等。
7.根据权利要求1至3之一所述的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法，其特征在于，所有注入期的时间周期的时长相等。
8.根据权利要求1至3之一所述的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法，其特征在于，所有注入期内的注入应力加速电流的大小相等。
9.根据权利要求8所述的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法，其特征在于，所述注入应力加速电流的大小介于1uA-10mA的范围内。
10.根据权利要求1至3之一所述的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法，其特征在于，所有测试期的时间周期的时长以及所有注入期的时间周期的时长为介于1ms-10ms的范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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