[发明专利]PMOS晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种PMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底中预定形成源区及漏区的区域形成有sigma形凹槽；

向所述sigma形凹槽内填充第一硅锗材料层，所述第一硅锗材料层未填满所述sigma形凹槽；

去除所述sigma形凹槽底部的部分厚度的第一硅锗材料层；

向所述sigma形凹槽内填充第二硅锗材料层至填满停止，所述第二硅锗材料层的锗的含量高于所述第一硅锗材料层的锗的含量。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述sigma形凹槽底部的部分厚度的第一硅锗材料层是通过碱性溶液处理实现的。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述碱性溶液为TMAH溶液或氨水。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述处理的温度为20~100℃，处理时间为5~100s。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽内填充的第一硅锗材料层的锗的原子数所占百分比为5~30%。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽内填充第一硅锗材料层时，进行原位掺杂P型元素。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述P型元素为硼，掺杂剂量为0.1~5E20/cm³。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽内填充的第一硅锗材料层的厚度为2~5nm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽内填充的第二硅锗材料层的锗的原子数所占百分比为20~60%。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽内填充第二硅锗材料层时，进行原位掺杂P型元素。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述P型元素为硼，掺杂剂量为0.1~5E20/cm³。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽内填充的第二硅锗材料层的厚度为3~10nm。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向所述sigma形凹槽内填充第二硅锗材料层至填满停止后，还在所述第二硅锗材料层上形成第三硅锗材料层，所述第三硅锗材料层的锗的含量低于所述第二硅锗材料层的锗的含量。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，形成的第三硅锗材料层的锗的原子数所占百分比小于30%。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，形成第三硅锗材料层时，进行原位掺杂P型元素。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述P型元素为硼，掺杂剂量为0.1~5E20/cm³。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，形成的第三硅锗材料层的厚度小于5nm。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述sigma形凹槽的形成方法为：在所述衬底上形成栅极结构，在所述栅极结构两侧形成侧墙，以所述栅极结构及侧墙为掩模，在所述衬底中预定形成源区及漏区的区域形成sigma形凹槽。

19.一种根据上述权利要求1至18中任意一项所述的方法制作的PMOS晶体管。