[发明专利]光学邻近修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，特别涉及一种光学邻近修正方法。

背景技术

在光刻工艺中，当辐射光源发出的光线穿过掩模板时，受到待曝光图形(如铬图形)边缘的影响而发生折射和散射，随着器件特征尺寸(CD，Critical Dimension)的不断减小，使得照射至光刻胶层上的图形发生明显的变形和失真，即光学邻近效应(OPE，Optical Proximity Effect)。

为了克服光学邻近效应，业界采用了诸多分辨率增强技术(RET，Resolution Enhancement Technology),包括光学邻近修正(OPC,Optical Proximity Correction)、相移掩模板(PSM，Phase Shifting Mask)和偏轴照明(OAI，OffAxis Illumination)等。

光学邻近修正是目前解决光学邻近效应的最常用的方法，在公告号为CN101311825B的中国专利中公开了一种光学邻近修正方法，所述方法包括：制造具有测试图形的掩模板；使用所述掩模板进行曝光，在晶圆上形成晶圆图案；测量所述晶圆图案的线宽；通过测量的所述图案的线宽和所述测试图形的线宽进行模型校正，基于所述模型校正的结果制造修正后掩模板。

但是随着半导体技术的发展，光刻中掩模版上图形的线宽越来越小、复杂度越来越高。尤其是对二维的掩模图形来说，现有的光学临近修正方法得到的掩模图形仍无法获得符合设计规格的光刻胶图形。

如何提高光学邻近修正方法的精度是本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正方法，提高光学邻近修正的精度。

为了解决上述问题，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供测试掩模板，所述测试掩模板上形成有至少一个第一测试图形；以所述测试掩模板进行曝光，形成与所述第一测试图形相对应的曝光图形；基于曝光图形对第一测试图形进行调整以形成第二测试图形，使所述第二测试图形相对于第一测试图形与曝光图形更相近；基于所述第二测试图形与所述曝光图形进行修正。

与现有技术相比，本发明根据曝光图形对第一测试图形进行调整，调制后形成的第二测试图形与第一测试图形相比与曝光图形更加相近，基于所述第二测试图形与所述曝光图形进行光学邻近修正，可以获得较高的精度。

附图说明

图1是本发明实施例的光学邻近修正方法的流程示意图；

图2是本发明光学邻近修正方法第一测试图形的示意图；

图3是本发明光学邻近修正方法第二测试图形第一实施例的示意图；

图4是本发明光学邻近修正方法第二测试图形第二实施例的示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

现有技术的光学邻近修正方法是对整个曝光图形的几个特定的点进行校验和修正，光学临近修正的精度较低。

本发明提供的光学邻近方法。

图1为本发明实施例的光学邻近修正方法一实施方式的流程示意图。如图1所示，包括：

步骤S1，提供测试掩模板，所述测试掩模板上形成有至少一个第一测试图形；

步骤S2，以所述测试掩模板进行曝光，形成与所述第一测试图形相对应的曝光图形；

步骤S3，基于曝光图形对第一测试图形进行调整以形成第二测试图形，使所述第二测试图形相对于第一测试图形与曝光图形更相近；

步骤S4，基于所述第二测试图形与所述曝光图形进行修正。

下面结合附图和具体实施例对本发明光学邻近修正方法进行详细说明。

参考图2，执行步骤S1，提供测试掩模板(图未示)，所述测试掩模板上形成有至少一个第一测试图形100；具体地，所述第一测试图形100可以通过电子束对测试掩模版基板上的铬材料进行图形化而形成。

本实施例中，第一测试图形100为二维图形，具体地，二维的第一测试图形100包括沿X方向的水平部分102和沿Y方向的竖直部分103，所述水平部分102和竖直部分103相连，相连的所述水平部分102和竖直部分103会形成“L”形拐角。