[发明专利]一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法

权利要求书

1.一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法，取氯化镓的苯饱和溶液再用9～10倍体积的苯稀释，在超声条件下滴入浓度为3～10mmol/L的十六烷基三甲基溴化铵的去离子水溶液；当上层苯溶液呈棕色、下层水溶液呈无色透明并不再发生改变时，再加热至160～200℃反应10～18小时；反应结束降至室温，将苯溶液和水溶液一起用去离子水清洗，收集沉淀烘干，得到羟基氧化镓纳米晶体。

2.按照权利要求1所述的羟基氧化镓纳米晶体的制备方法，其特征在于，所述的氯化镓，纯度不低于99.99％；所述的十六烷基三甲基溴化铵，纯度不低于99％；所述的苯，为分析纯。

3.按照权利要求1或2所述的羟基氧化镓纳米晶体的制备方法，其特征在于，所述的十六烷基三甲基溴化铵的去离子水溶液，浓度为5mmol/L；反应在反应釜中进行，控制反应温度180℃，反应时间12小时。

4.一种权利要求1的羟基氧化镓纳米晶体的制备方法制得的产品。

5.按照权利要求4所述的羟基氧化镓纳米晶体的制备方法制得的产品，其特征是，羟基氧化镓纳米晶体为白色粉末状；晶体的形貌为棱柱状。