[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有场效应型晶体管、第1二极管和第2二极管，

所述场效应型晶体管具有：

半导体基板，包括第1导电型的第1半导体层；

多个第2导电型的第2半导体层，从所述半导体基板的一方的表面侧向深度方向延伸，而且相互隔开间隔地设在所述半导体基板内；

多个第2导电型的第3半导体层，设为在所述半导体基板的一方的表面侧与一部分所述第2半导体层相接；

第1导电型的第4半导体层，选择性地形成在所述第3半导体层的表面；

控制电极，隔着绝缘膜设在所述第1半导体层、所述第3半导体层以及所述第4半导体层的表面侧；

第1主电极，与所述第3半导体层及所述第4半导体层连接；

第1导电型的第6半导体层，设在所述第1半导体层的另一方的表面；以及

第2主电极，与所述第6半导体层电连接；

所述第1二极管包括第2导电型的第5半导体层、所述第1半导体层、所述第2半导体层和所述第6半导体层而构成，该第2导电型的第5半导体层设为在所述半导体基板的一方的表面侧与一部分所述第2半导体层相接，该第1二极管与钳位电极连接，该钳位电极与所述第5半导体层连接；

所述第2二极管包括与所述控制电极连接的第7半导体层而构成，以与所述第1二极管逆串联的方式与所述钳位电极连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第1二极管的耐压比所述场效应型晶体管的耐压低。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

在所述第1主电极的一部分，设置向所述控制电极外部的引出电极，在所述引出电极下设有所述第1二极管和所述第2二极管。

4.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第5半导体层彼此的间隔比所述第3半导体层彼此的间隔大。

5.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第2半导体层彼此的间隔在所述第1二极管侧比在所述场效应型晶体管侧大。

6.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第2半导体层的杂质浓度随着从所述第2主电极侧向所述第1主电极侧靠近而变高。

7.如权利要求1所述的半导体装置，

从所述第2主电极侧向所述第1主电极侧靠近时的所述第2半导体层的杂质浓度的变化，在所述第1二极管侧比在所述场效应型晶体管侧大。

8.如权利要求1所述的半导体装置，

在所述第1二极管侧，所述第2半导体层的杂质浓度比所述第1半导体层高，在所述场效应型晶体管侧，所述第2半导体层的杂质浓度比所述第1半导体层低。

9.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第1半导体层和所述第2半导体层的杂质浓度在所述第1二极管侧比在所述场效应型晶体管侧高。

10.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第2二极管是肖特基势垒二极管。

11.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第2二极管是pin二极管。

12.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第2二极管由多晶硅构成。

13.如权利要求1所述的半导体装置，

所述钳位电极与所述第1主电极之间的耐压比所述第2主电极与所述第1主电极之间的耐压低。

14.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第2二极管耐压比所述控制电极与所述第2主电极之间的施加保证电压高。

15.如权利要求1所述的半导体装置，

在向所述第1主电极与所述第2主电极之间施加电压时，在所述第1二极管中比所述场效应型晶体管先发生雪崩击穿，在由于栅极电阻所产生的电压下降而对所述控制电极施加的电压成为阈值电压以上时，从所述第2主电极向所述第1主电极流过电流而进行动作。